[发明专利]光电场增强器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造光电场增强器件的方法，所述方法包括：

薄膜形成步骤，所述步骤在基板上形成由第一金属或金属氧化物形成的薄膜；

微细凹凸结构层形成步骤，所述步骤通过使形成于所述基板上的所述薄膜进行水热反应而形成由所述第一金属或所述金属氧化物的氢氧化物构成的微细凹凸结构层；和

金属层形成步骤，所述步骤在所述微细凹凸结构层表面上形成由第二金属构成的金属微细凹凸结构层。

2.如权利要求1所述的制造光电场增强器件的方法，其中：

在所述金属层形成步骤中，形成金属层作为所述金属微细凹凸结构层，在所述金属层的表面上具有形状与所述微细凹凸结构不同的凹凸结构。

3.如权利要求1和2中任一项所述的制造光电场增强器件的方法，其中：

所述第二金属为金、银、铜、铝和铂之一。

4.如权利要求1～3中任一项所述的制造光电场增强器件的方法，其中：

所述金属层形成步骤为金属气相沉积步骤，所述金属气相沉积步骤通过气相沉积在所述微细凹凸结构层的表面上形成由所述第二金属构成的金属层。

5.如权利要求4所述的制造光电场增强器件的方法，其中：

所述第二金属为金；并且

所述通过气相沉积形成的膜的厚度为30nm以上。

6.如权利要求4所述的制造光电场增强器件的方法，其中：

所述第二金属为银；并且

所述通过气相沉积形成的膜的厚度为150nm以下。

7.如权利要求1～6中任一项所述的制造光电场增强器件的方法，在所述金属层形成步骤之后，所述方法还包括：

层压步骤，所述步骤将不同于所述第二金属的第三金属和电介质之一层压在由所述第二金属形成的所述金属微细凹凸结构层上。

8.如权利要求1～3中任一项所述的制造光电场增强器件的方法，其中：

所述金属层形成步骤为微细金属颗粒分散步骤，所述微细金属颗粒分散步骤将所述第二金属形成的微细金属颗粒分散在所述微细凹凸结构层的表面上。

9.如权利要求8所述的制造光电场增强器件的方法，其中：

所述微细金属颗粒的直径为100nm以下。

10.如权利要求1～9中任一项所述的制造光电场增强器件的方法，其中：

所述第一金属为铝，并且所述金属氧化物为氧化铝。

11.如权利要求1～10中任一项所述的制造光电场增强器件的方法，其中：

所述氢氧化物为三羟铝石和勃姆石中的至少一种。