[发明专利]用于相变存储器及开关（PCMS）阵列中的地址线的单个晶体管驱动器

权利要求书

1.一种非易失性存储器，包括至少一个单个晶体管驱动器，所述至少一个单个晶体管驱动器适于在不同时刻发送地址线选择信号和地址线禁用信号。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述至少一个单个晶体管驱动器是至少一个单个晶体管局部字线驱动器。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器，其中，所述至少一个单个晶体管局部字线驱动器包括多个单个晶体管局部字线驱动器，所述多个单个晶体管局部字线驱动器交替地耦合到字线奇数选择信号和字线偶数选择信号。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储器，其中，所述至少一个单个晶体管局部字线驱动器包括单个NMOS场效应晶体管字线驱动器。

5.根据权利要求2所述的非易失性存储器，其中，所述至少一个单个晶体管局部字线驱动器包括单个PMOS场效应晶体管字线驱动器。

6.根据权利要求2所述的非易失性存储器，进一步包括全局字线驱动器，所述全局字线驱动器适于产生全局字线偶数信号和全局字线奇数信号。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述至少一个单个晶体管驱动器是单个晶体管位线驱动器。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器，其中，所述至少一个单个晶体管局部位线驱动器包括多个单个晶体管局部位线驱动器，所述多个单个晶体管局部位线驱动器交替地耦合到位线奇数选择信号和位线偶数选择信号。

9.根据权利要求7所述的非易失性存储器，其中，所述至少一个单个晶体管位线驱动器包括单个PMOS场效应晶体管位线驱动器。

10.根据权利要求7所述的非易失性存储器，其中，所述至少一个单个晶体管位线驱动器包括单个NMOS场效应晶体管位线驱动器。

11.根据权利要求7所述的非易失性存储器，进一步包括全局位线驱动器，所述全局位线驱动器适于产生全局字线偶数信号和全局字线奇数信号。

12.一种用于对非易失性存储器单元进行编程的方法，包括：

向地址线分配交替的奇数指定标识和偶数指定标识；

将所选择的地址线驱动到选择电压；

使得具有与所选择的地址线相同的奇数指定标识或偶数指定标识的剩余地址线浮置；以及

将具有与所选择的地址线指定标识不同的奇数指定标识或偶数指定标识的地址线驱动到禁用电压。

13.根据权利要求12所述的方法，其中：

向地址线分配交替的奇数指定标识和偶数指定标识包括向字线分配交替的奇数指定标识和偶数指定标识；

将所选择的地址线驱动到选择电压包括将所选择的字线驱动到选择电压；

使得具有与所选择的地址线相同的奇数指定标识或偶数指定标识的剩余地址线浮置包括使得具有与所选择的字线相同的奇数指定标识或偶数指定标识的剩余字线浮置；并且

将具有与所选择的地址线指定标识不同的奇数指定标识或偶数指定标识的地址线驱动到禁用电压包括将具有与所选择的字线指定标识不同的奇数指定标识或偶数指定标识的字线驱动到禁用电压。

14.根据权利要求12所述的方法，其中：

向地址线分配交替的奇数指定标识和偶数指定标识包括向位线分配交替的奇数指定标识和偶数指定标识；

将所选择的地址线驱动到选择电压包括将所选择的位线驱动到选择电压；

使得具有与所选择的地址线相同的奇数指定标识或偶数指定标识的剩余地址线浮置包括使得具有与所选择的位线相同的奇数指定标识或偶数指定标识的剩余位线浮置；并且

将具有与所选择的地址线指定标识不同的奇数指定标识或偶数指定标识的地址线驱动到禁用电压包括将具有与所选择的位线指定标识不同的奇数指定标识或偶数指定标识的位线驱动到禁用电压。