[发明专利]液晶显示面板和具备该液晶显示面板的液晶显示装置有效
申请号: | 201280017469.5 | 申请日: | 2012-04-02 |
公开(公告)号: | CN103492938A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 松木园广志 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 具备 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示面板和具备该面板的液晶显示装置,特别是涉及使用将氧化物半导体用于沟道层的TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管)的液晶显示面板和具备该液晶显示面板的液晶显示装置。
背景技术
近年,将氧化物半导体用于沟道层的TFT受到关注。由该氧化物半导体构成的薄膜(以下也称为“氧化物半导体膜”)迁移率高且对可见光的透射性高,因此被使用于液晶显示装置等。作为氧化物半导体膜,已知例如包含InGaZnOx(以下称为“IGZO”)的氧化物半导体膜,其中,该InGaZnOx是以铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)为主成分的氧化物半导体。
但是,在液晶显示面板中,存在由于光向TFT的沟道层射入而使该TFT的阈值发生变动的问题。特别是,已知在将IGZO用于沟道层的TFT(以下有时称为“IGZO-TFT”)中,因吸收可见光的短波长侧的光而使电导率变动(例如参照专利文献1)。即,在将IGZO用于沟道层的TFT中,因短波长的可见光射入沟道层而使阈值发生变动。这成为液晶显示面板的可靠性下降的原因。
与本发明相关联,在专利文献2中,公开了一种液晶显示面板,在彩色滤光片基板中在与阵列基板的TFT相对的位置,配置有最能很好地吸收短波长的光的红色彩色滤光片图案。根据这样的结构,能够防止短波长的光入射沟道层,因此能够抑制TFT的阈值变动。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-250984号公报
专利文献2:日本特开2001-91971号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
但是,专利文献2记载的液晶显示面板中,在与蓝色子像素形成部的TFT和绿色子像素形成部的TFT相对的位置配置有红色彩色滤光片图案。即,彼此颜色不同的彩色滤光片接近设置。因此,从TFT周边漏出的红色光混入蓝色或绿色的显示。其结果是,蓝色或绿色的显示中混合有红色,因此显示品质下降。
由此,本发明的目的在于,提供一种能够在抑制显示品质的下降的同时提高薄膜晶体管的可靠性的液晶显示面板和具备该液晶显示面板的液晶显示装置。
解决技术问题的技术方案
本发明的第一方面为用于显示基于规定数量的原色的彩色图像的液晶显示面板,该液晶显示面板的特征在于,包括:
彼此相对的第一基板和第二基板;
被夹持于上述第一基板与上述第二基板之间的液晶层;
在上述第一基板上以相互交叉的方式配置的多条视频信号线和多条扫描信号线;
沿着上述多条视频信号线和上述多条扫描信号线配置成矩阵状的多个像素形成部;和
上述规定数量的原色各自的着色层,
各像素形成部包含与上述规定数量的原色分别对应的多个子像素形成部,
各子像素形成部包括:
与沿着该子像素形成部的上述视频信号线和上述扫描信号线对应配置的、沟道层包含氧化物半导体的薄膜晶体管;和
与上述薄膜晶体管连接,并且与该子像素形成部所对应的原色的着色层相对的像素电极,
在各像素形成部中,上述多个子像素形成部的像素电极在规定方向上排列,
和与上述规定数量的原色中波长最短的原色的着色层相对的像素电极在上述规定方向上相邻的一个像素电极所连接的薄膜晶体管,相对于该一个像素电极,配置于该与波长最短的原色的着色层相对的像素电极的相反侧,
上述与波长最短的原色的着色层相对的像素电极所连接的薄膜晶体管、和该与波长最短的原色的着色层相对的像素电极的距离,大于上述一个像素电极所连接的薄膜晶体管和该一个像素电极的距离,
与上述与波长最短的原色的着色层相对的像素电极在上述规定方向上相邻的另一个像素电极所连接的薄膜晶体管、和该与波长最短的原色的着色层相对的像素电极的距离,为该与波长最短的原色的着色层相对的像素电极所连接的薄膜晶体管、和该与波长最短的原色的着色层相对的像素电极的距离以上。
本发明的第二方面,在本发明的第一方面的基础上,特征在于:
上述规定方向为上述多条扫描信号线延伸的方向,
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