[发明专利]用于半导体器件的双有源层及其制造方法

说明书

关于联邦资助的研究或开发的声明

美国政府在本发明中具有完整许可，以及在有限的情况下要求专利权人按照美国陆军研究实验室（ARL）的格兰特/合同编号W911NF-04-2-0005的条款所提供的合理条件为他人提供许可的权利。

相关申请的交叉引用

本申请要求对2011年4月7日提交的美国临时申请号61/472,992的利益。美国临时申请号61/472,992通过引用以其全部结合在此。

本申请还是于2010年5月28日提交的PCT申请号PCT/US10/36569的部分继续申请。PCT申请号PCT/US10/36569要求于2009年5月29日提交的美国临时申请号61/182,464及于2009年7月30日提交的美国临时申请号61/230,051的利益。同时，PCT申请号PCT/US10/36569是以下申请的部分继续申请：(a)于2009年11月30日提交的PCT申请号PCT/US09/66114，其要求于2008年12月2日提交的美国临时申请号61/119,303的优先权；(b)于2009年11月30日提交的PCT申请号PCT/US09/66111，其要求于2008年12月2日提交的美国临时申请号61/119,248的优先权；以及(c)于2009年12月1日提交的PCT申请号PCT/US09/66259的优先权。PCT申请号PCT/US09/66259要求以下申请的利益：(i)于2008年12月2日提交的美国临时申请号61/119,217；(ii)美国临时申请号61/182,464；以及(iii)美国临时申请号61/230,051。

PCT申请号PCT/US10/36569、美国临时申请号61/182,464、美国临时申请号61/230,051、PCT申请号PCT/US09/66114、美国临时申请号61/119,303、PCT申请号PCT/US09/66111、美国临时申请号61/119,248、PCT申请号PCT/US09/66259、及美国临时申请号61/119,217通过引用以其全部结合在此。

技术领域

本发明总体上涉及半导体器件，并且更具体地涉及具有双有源层的半导体器件及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管常用于为各种各样的显示技术供电，包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光二极管显示器等。许多薄膜晶体管使用非晶硅作为有源层，但是由于非晶硅的低迁移率和低开/关比使用非晶硅可能是不利的。同样，在制造柔性显示器时非晶硅的高温处理温度也可能是不利的。

因此，需要的或潜在的利益在于用于制造其的系统和方法，这些系统和方法允许在许可减少的温度处理的同时改善有源层的迁移率和开/关比。

附图说明

为了便于对本发明的实施例做进一步说明，提供了下列附图，其中：

图1根据一个第一实施例展示了一种提供半导体器件的方法的示例；

图2根据该第一实施例展示了提供一个柔性衬底的一个步骤的示例；

图3根据该第一实施例展示了制备该柔性衬底的一个过程的示例；

图4根据该第一实施例展示了该柔性衬底的一个示例的顶视图；

图5根据该第一实施例展示了在将图4的柔性衬底附装到一个保护模板上后一个柔性衬底组件的示例的局部横截面图；

图6根据该第一实施例展示了在将一个载体衬底连接到该柔性衬底组件后图5的柔性衬底组件的一个示例的局部横截面图；

图7根据该第一实施例展示了处理图5的柔性衬底组件的一个过程的示例；

图8根据该第一实施例展示了在切割该柔性衬底组件后图5的柔性衬底组件的一个示例的横截面图；

图9根据该第一实施例展示了在去除一个对齐接片后图5的柔性衬底组件的一个示例的横截面图；

图10根据该第一实施例展示了在从该柔性衬底组件中去除一种保护材料后图5的柔性衬底组件的一个示例的横截面图；

图11根据该第一实施例展示了提供多个半导体元件的一个步骤的示例；

图12根据该第一实施例展示了提供一个或多个第一半导体元件的一个过程的示例；

图13根据该第一实施例展示了在提供一个栅极金属层后一个半导体器件的器件构建区的一个示例的横截面图；

图14根据该第一实施例展示了在提供该栅极金属层后一个半导体器件的栅极触点构建区的一个示例的横截面图；