[发明专利]在半导电结构上无催化剂选择性生长的方法

权利要求书

1.一种在第一半导电结构（12）上无催化剂选择性生长的方法，其中，所述第一半导电结构由第一气体流或分子流形成在衬底（6）上，所述方法的特征在于：

同时或随后将至少一种第二气体流或分子流添加到所述第一气体流或分子流中，所述第二气体流或分子流能够在所述第一半导电结构（12）上选择性地原位生长电介质层（14），以及

在因此提供有所述电介质层（14）的所述第一半导电结构（12）上，由第三气体流或分子流生长第二半导电结构（16）。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，选择所述电介质层（14）的生长条件，以便对所述第一半导电结构（12）的形成起作用。

3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，其中，选择所述电介质层（14），使得所述第二半导电结构（16）形成在所述第一半导电结构（12）上而不形成在所述电介质层（14）上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，暂停并且随后继续所述电介质层（14）的生长。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，选择所述第一气体流或分子流，使得所述第一半导电结构（12）包含从由半导电的氮化物以及化合物半导体III-V、IV-IV和II-VI构成的组中选出的至少一种半导体。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，选择所述第二气体流或分子流，使得所述电介质层（14）由从氮化硅、氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化镓和氮氧化镓中选出的材料制成。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述第一半导电结构（12）具有从棱锥，截棱锥，管状体，和具有多边形、矩形、三角形或梯形底部的棱柱中选出的立方体的形状。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述第一半导电结构（12）、所述电介质层（14）和所述第二半导电结构（16）通过从金属有机化学气相沉积、分子束外延和氢化物气相外延中选出的技术来形成。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述第一半导电结构是从所述衬底（6）竖直延伸的线（12）；使所述电介质层（14）生长，使得所述电介质层（14）从所述衬底（6）覆盖所述线（12）的下面部分，并且所述第二半导电结构（16）只生长在所述线（12）的上面部分上，所述线（12）的上面部分不被所述电介质层（14）覆盖。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，使用导电的或半导电的衬底（6），形成所述第一半导电结构（12）和所述第二半导电结构（16）以便制造二极管，并且进一步地，在所述衬底上形成第一导电触点（26），并且在所述第二半导电结构（16）上形成第二导电触点（30）。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，使用导电的或半导电的衬底（6），形成所述第一半导电结构（12）和所述第二半导电结构（16）以便制造二极管，并且进一步地，在所述衬底上形成第一导电触点（26），并且形成导电的透明材料层（32），所述导电的透明材料层（32）一致地覆盖所述电介质层（14）和所述第二半导电结构（16）。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述线（12）在已经形成所述第二半导电结构（16）之后与所述衬底（6）分离，并且随后将所述线放置在另一衬底（18）上，使得所述线在所述另一衬底上水平地延伸。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，进一步在所述线上，在所述电介质层（14）和所述第二半导电结构（16）处形成欧姆触点或导电触点（20、22、24）。