[发明专利]半导体制造装置及制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造装置，其特征在于，包括：

承载室；

至少一个以上的处理室，接收到供应的基板进行热处理工艺；

传送室，在所述承载室与所述处理室之间传送基板；及

抗氧化气体供应部，至少向所述传送室与所述承载室中一方供应抗氧化气体。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述抗氧化气体供应部向所述处理室送入基板或从所述处理室处送出基板时，至少向所述传送室与所述承载室中一方供应抗氧化气体。

3.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述抗氧化气体供应部向所述处理室供应抗氧化气体。

4.根据权利要求3所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述抗氧化气体供应部是向所述处理室送入基板或从所述处理室处送出基板时，至少向所述传送室与所述承载室中一方和向所述处理室同时供应抗氧化气体。

5.根据权利要求4所述半导体制造装置，其特征在于，

所述传送室是向所述处理室送入基板或从所述处理室处送出基板时，具有与所述处理室的内部压力相同或更高的内部压力。

6.根据权利要求3所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述抗氧化气体供应部是在所述处理室内对基板进行热处理时，向所述处理室内部供应抗氧化气体。

7.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述处理室，包括：支持基板及进行加热的基座，和从基座处将基板分离或将基板安置在基座的基板升降单元；

在所述处理室内进行热处理工艺完成后，所述基板升降单元将基板从所述基座处进行分离。

8.根据权利要求7所述的半导体制造装置，其特征在于，

还包括了冷却模块，对所述传送室与所述承载室之间进行热处理工艺后的基板进行冷却；

所述冷却模块在基板冷却时，所述抗氧化气体供应部向所述冷却模块供应抗氧化气体。

9.根据权利要求1至8中任何一项所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述基板基板上形成金属层，所述金属层是由铜（Cu）形成。

10.根据权利要求9所述的半导体制造装置，其特征在于，

抗氧化气体为氢气（H₂）或者包含氢气的气体。

11.半导体制造方法，其特征在于，包括：

至少向传送室与承载室中一方供应抗氧化气体的同时，基板由所述传送室从所述承载室处向处理室的送入阶段；

对所述处理室送入的基板进行热处理工艺阶段；

及至少向所述传送室和所述承载室中一方供应抗氧化气体的同时，在所述处理室进行过热处理工艺的基板向所述传送室送出的阶段。

12.根据权利要求11所述的半导体制造方法，其特征在于，

对基板进行热处理工艺阶段还包括向所述处理室供应抗氧化气体的过程。

13.根据权利要求11所述的半导体制造方法，其特征在于，

基板向所述处理室送入或从所述处理室处送出阶段里，至少向所述传送室与承载室中一方供应抗氧化气体的同时向所述处理室供应抗氧化气体。

14.根据权利要求11所述的半导体制造方法，其特征在于，

在基板向所述处理室送入或者从所述处理室处送出的阶段里，可设定所述传送室的内部压力与所述处理室的内部压力相同或更高。

15.根据权利要求11所述的半导体制造方法，其特征在于，

基板在进行热处理工艺完成后，将基座上安置的基板从所述基座处分离。

16.根据权利要求15所述的半导体制造方法，其特征在于，

基板从所述处理室处送出的阶段还包括所述传送室与所述承载室之间由冷却模块对基板进行冷却的过程；

在基板冷却的过程中，向所述冷却模块供应抗氧化气体。

17.根据权利要求11至16中任何一项所述的半导体制造方法，其特征在于，

所述基板形成金属层，所述金属层由铜(Cu)形成。

18.根据权利要求17所述的半导体制造方法，其特征在于，

所述抗氧化气体为氢气（H₂）或者包含氢气的气体。