[发明专利]具有磷光体组分的发光复合物

权利要求书

1.热稳定陶瓷体，其包括发射层，其中所述发射层包括由通式(A_1-x-zGd_xD_z)₃B₅O₁₂表示的化合物，其中：

D为第一掺杂剂，其选自Nd、Er、Eu、Mn、Cr、Yb、Sm、Tb、Ce、Pr、Dy、Ho、Lu及其组合；

A选自Y、Lu、Ca、La、Tb及其组合；

B选自Al、Mg、Si、Ga、In及其组合；

x为约0.20至约0.80；以及

z为约0.001至约0.10。

2.如权利要求1所述的陶瓷体，其中D包括Ce。

3.如权利要求2所述的陶瓷体，其中D为Ce。

4.如权利要求1所述的陶瓷体，其中A为Y。

5.如权利要求1所述的陶瓷体，其中B为Al。

6.如权利要求1所述的陶瓷体，其中所述陶瓷体表现出至少8W/mK的热导率。

7.如权利要求1所述的陶瓷体，其中所述发射层中的所述第一掺杂剂具有沿着所述发射层的厚度的第一掺杂剂浓度梯度。

8.如权利要求7所述的陶瓷体，其中所述第一掺杂剂浓度梯度包括最大第一掺杂剂浓度，其位于或接近沿着所述发射层的厚度的中心。

9.如权利要求7所述的陶瓷体，其中所述第一掺杂剂浓度梯度包括最大第一掺杂剂浓度，其位于或接近沿着所述发射层的厚度的表面。

10.如权利要求1所述的陶瓷体，其中所述发射层包括沿着所述发射层的厚度的Gd浓度梯度。

11.如权利要求10所述的陶瓷体，其中所述第一掺杂剂浓度梯度相对于所述Gd浓度梯为更宽泛的。

12.如权利要求10所述的陶瓷体，其中所述Gd浓度梯度包括最大Gd浓度，其位于或接近沿着所述发射层的厚度的最大第一掺杂剂浓度。

13.形成热稳定陶瓷体的方法，其包括烧结组件，其中所述组件包括厚度为约10μm至约400μm的共掺杂层，其中所述共掺杂层包括：

钇铝石榴石(YAG)、YAG前体或其组合；

第一掺杂剂，其选自Nd、Er、Eu、Mn、Cr、Yb、Sm、Tb、Ce、Pr、Dy、Ho、Lu及其组合；以及

相对于YAG的量、YAG前体的当量或其组合，约20at%至约80at%的Gd。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述组件还包括第一层，其布置在所述掺杂层的一侧上，其中所述第一层包括YAG、YAG前体或其组合，其中所述第一层基本不含所述第一掺杂剂，以及其中所述第一层的厚度为约40μm至约800μm。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述共掺杂层布置在所述第一层与第二层之间，所述第二层包括YAG、YAG前体或其组合，其中所述第二层基本不含所述第一掺杂剂，以及其中所述第一层和所述第二层的厚度各自独立地为约40μm至约400μm。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述第二层还包括Gd。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述第二层包括约20at%至约80at%的Gd。

18.如权利要求13所述的方法，其中所述共掺杂层包括约20at%至约80at%的Gd。

19.如权利要求13所述的方法，其中所述共掺杂层包括约0.1at%至约10at%的第一掺杂剂。

20.如权利要求13所述的方法，其中所述第一掺杂剂为Ce。

21.如权利要求13所述的方法，其中烧结所述组件包括在约1000℃至约1900℃的温度下加热所述组件至少约2小时。

22.如权利要求14所述的方法，其中所述共掺杂层中至少约30%的所述第一掺杂剂在所述制程中扩散出所述共掺杂层。

23.陶瓷体，其是由权利要求13所述的方法制造的。