[发明专利]多频中空阴极以及安装该多频中空阴极的系统

权利要求书

1.一种在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统，其包括：

成型为包围内腔的导电构件，其中所述导电构件被形成为具有与所述内腔流体连通的工艺气体入口，且其中所述导电构件被形成为具有使所述内腔暴露于衬底处理区域的开口；

与所述导电构件电气连通以便实现第一RF功率至所述导电构件的传送的第一射频（RF）功率源；以及

与所述导电构件电气连通以便实现第二RF功率至所述导电构件的传送的第二RF功率源，

其中所述第一RF功率源和所述第二RF功率源是能独立可控的，使得所述第一RF功率和所述第二RF功率就频率和振幅而言是独立可控的。

2.如权利要求1所述的在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统，其中所述导电构件是柱体形状。

3.如权利要求1所述的在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统，其中所述导电构件是板，所述板具有穿过板形成的孔，其中所述内腔在所述板的所述孔内。

4.如权利要求1所述的在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统，其中所述导电构件由多个部件形成，所述多个部件包括中央实心柱体和外部中空柱体，其中所述中央实心柱体和所述外部中空柱体被设定尺寸使得所述内腔被形成在所述中央实心柱体和所述外部中空柱体之间。

5.如权利要求4所述的在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统，其中所述第一RF功率源与所述中央实心柱体电气连通，且其中所述第二RF功率源与所述外部中空柱体电气连通。

6.如权利要求4所述的在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统，其中所述第一RF功率源和所述第二RF功率源二者都与所述中央实心柱体和所述外部中空柱体中的每一个电气连通。

7.如权利要求1所述的在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统，其中所述导电构件由多个部件形成以便将所述内腔分割成多个内腔，所述导电构件包括以彼此同中心且间隔开的方式设置的中央中空柱体和外部中空柱体，其中第一内腔被形成在所述中央中空柱体内，且其中第二内腔被形成在所述中央中空柱体和所述外部中空柱体之间。

8.如权利要求7所述的在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统，其中所述第一RF功率源与所述中央中空柱体电气连通，且其中所述第二RF功率源与所述外部中空柱体电气连通。

9.如权利要求8所述的在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统，其中所述第一内腔的第一工艺气体入口与第一工艺气体源流体连通，且其中所述第二内腔的第二工艺气体入口与第二工艺气体源流体连通，其中所述第一工艺气体源和所述第二工艺气体源就工艺气体种类、工艺气体压强、工艺气体流率、工艺气体温度、或其任意组合而言是独立可控的。

10.如权利要求7所述的在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统，其中所述第一RF功率源和所述第二RF功率源二者都与所述中央中空柱体和所述外部中空柱体中的每一个电气连通。

11.如权利要求10所述的在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统，其中所述第一内腔和所述第二内腔二者的工艺气体入口都与共同的工艺气体源流体连通。

12.如权利要求1所述的在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统，其进一步包括：

形成来包围所述工艺气体入口的第一电气接地构件；和

形成来包围所述工艺气体入口的第一介电垫片，所述第一介电垫片设置在所述第一电气接地构件和所述导电构件之间。

13.如权利要求12所述的在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统，其进一步包括：

形成来包围使所述内腔暴露于所述衬底处理区域的所述开口的第二电气接地构件；和

形成来包围使所述内腔暴露于所述衬底处理区域的所述开口的第二介电垫片，所述第二介电垫片设置在所述第二电气接地构件和所述导电构件之间。