[发明专利]包括常闭和常开器件的共源共栅开关以及包括这样的开关的电路

权利要求书

1.一种开关，所述开关包括：

第一常开半导体器件，所述第一常开半导体器件包括栅极、源极和漏极；

第一常闭半导体器件，所述第一常闭半导体器件包括栅极、源极和漏极；

第一电容器；以及

第一二极管；

其中，所述第一常开半导体器件的源极连接到所述第一常闭半导体器件的漏极；

其中，所述第一常开半导体器件的栅极经由第一电容器连接到所述第一常闭半导体器件的源极；并且

其中，所述第一二极管与所述第一电容器并行地连接在所述第一常开半导体器件的栅极与所述第一常闭半导体器件的源极之间，其中，所述第一二极管的阴极连接到所述第一常开半导体器件的栅极并且所述第一二极管的阳极连接到所述第一常闭半导体器件的源极。

2.根据权利要求1所述的开关，其中，所述第一二极管是第一齐纳二极管。

3.根据权利要求2所述的开关，其中，所述第一齐纳二极管具有15-25V的齐纳电压。

4.根据权利要求1所述的开关，所述开关进一步包括第二齐纳二极管和第三齐纳二极管，所述第二齐纳二极管和所述第三齐纳二极管反向串行连接在所述第一常闭半导体器件的栅极与源极之间。

5.根据权利要求1所述的开关，所述开关进一步包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管和所述第二二极管彼此并行地连接在所述第一常开半导体器件的漏极与所述第一常闭半导体器件的源极之间，使得所述第一二极管和所述第二二极管中的每一个的阴极连接到所述第一常开半导体器件的漏极。

6.根据权利要求1所述的开关，所述开关进一步包括二极管和电阻器，所述二极管和所述电阻器串行连接在所述第一常闭半导体器件的栅极与所述第一电容器和所述第一常开半导体器件的栅极之间的电连接之间，其中，所述二极管的阳极连接到所述第一常闭半导体器件的栅极。

7.根据权利要求1所述的开关，所述开关进一步包括电阻器和二极管，所述电阻器和所述二极管彼此并行地并且与所述第一电容器串行地布置在所述第一常开半导体器件的栅极与所述第一电容器之间。

8.根据权利要求7所述的开关，其中，所述二极管的阴极连接到所述第一常开半导体器件的栅极。

9.根据权利要求7所述的开关，其中，所述二极管的阳极连接到所述第一常开半导体器件的栅极。

10.根据权利要求1所述的开关，所述开关进一步包括电阻器和第二电容器，所述电阻器和所述第二电容器串行地布置在所述第一常闭半导体器件的栅极与所述第一常开半导体器件的漏极之间。

11.根据权利要求1所述的开关，其中，所述第一常开半导体器件是高电压器件。

12.根据权利要求1所述的开关，其中，所述第一常开半导体器件是结型场效应晶体管。

13.根据权利要求1所述的开关，其中，所述第一常开半导体器件是SiC结型场效应晶体管。

14.根据权利要求1所述的开关，其中，所述第一常闭半导体器件是低电压器件。

15.根据权利要求1所述的开关，其中，所述第一常闭半导体器件是金属氧化物半导体场效应晶体管。

16.根据权利要求1所述的开关，其中，所述第一常闭半导体器件是Si金属氧化物半导体场效应晶体管。

17.根据权利要求1所述的开关，其中：

所述开关进一步包括一个或多个额外的常开半导体器件；

所述一个或多个额外的常开半导体器件中的每一个的漏极连接到所述第一常开半导体器件的漏极；

所述一个或多个额外的常开半导体器件中的每一个的源极连接到所述第一常闭半导体器件的漏极；并且

所述第一常开半导体器件的栅极连接到所述一个或多个额外的常开半导体器件中的每一个的栅极以形成公共栅极，并且其中，所述公共栅极经由所述第一电容器连接到所述第二常闭半导体器件的源极。