[发明专利]一种用于在室温下高甲烷存储的具有优化的开放金属位点以及孔空间的金属-有机构架无效
申请号: | 201280018201.3 | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN103619856A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 棓霖·陈;郭智勇 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯大学系统董事会 |
主分类号: | C07F1/08 | 分类号: | C07F1/08;C07C9/04;B01J3/03;B01J7/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 谢顺星;刘成春 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 室温 甲烷 存储 具有 优化 开放 金属 以及 空间 有机 构架 | ||
1.一种金属-有机构架,由如下工艺制备,该工艺包括:
使3,3',3,5,5',5-苯-1,3,5-三基-六苯甲酸与一种铜盐和一种酸在一种极性溶剂中发生反应;
允许该反应在高温下进行持续至少一天;并且
将该金属-有机构架从该极性溶剂中分离出来。
2.如权利要求1所述的金属-有机构架,其中该极性溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺。
3.如权利要求1所述的金属-有机构架,其中该铜盐包括Cu(NO3)2。
4.如权利要求1所述的金属-有机构架,其中该铜盐包括Cu(NO3)2·2.5H2O。
5.如权利要求1所述的金属-有机构架,其中该高温是至少约50℃。
6.如权利要求1所述的金属-有机构架,进一步包括允许该反应在高温下进行持续至少两天。
7.如权利要求1所述的金属-有机构架,进一步包括通过将该金属-有机构架在高真空下加热至高于100℃持续约一天来活化该金属-有机构架。
8.如权利要求1所述的金属-有机构架,其中该金属-有机构架包括多个连接物通道位点,这些连接物通道位点被配置成使一种气体与形成该金属-有机构架的至少两个有机连接物相结合。
9.如权利要求1所述的金属-有机构架,其中该金属-有机构架包括多个连接物通道位点,这些连接物通道位点被配置成使甲烷与形成该金属-有机构架的至少两个有机连接物相结合。
10.如权利要求1所述的金属-有机构架,其中该金属-有机构架主要使用范德华力结合一种气体。
11.一种用于制备金属-有机构架的方法,该方法包括:
使3,3',3,5,5',5-苯-1,3,5-三基-六苯甲酸与一种铜盐和一种酸在一种极性溶剂中发生反应;
允许该反应在高温下进行持续至少一天;并且
将该金属-有机构架从该极性溶剂中分离出来。
12.如权利要求11所述的方法,其中该极性溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺。
13.如权利要求11所述的方法,其中该铜盐包括Cu(NO3)2。
14.如权利要求11所述的方法,其中该铜盐包括Cu(NO3)2·2.5H2O。
15.如权利要求11所述的方法,其中该高温是至少约50℃。
16.如权利要求11所述的方法,进一步包括允许该反应在高温下进行持续至少两天。
17.如权利要求11所述的方法,进一步包括通过将该金属-有机构架在高真空下加热至高于100℃持续约一天来活化该金属-有机构架。
18.如权利要求11所述的方法,进一步包括使一种气体在一个连接物通道位点结合到形成该金属-有机构架的至少两个有机连接物上。
19.如权利要求11所述的方法,进一步包括使甲烷在一个连接物通道位点结合到形成该金属-有机构架的至少两个有机连接物上。
20.如权利要求11所述的方法,进一步包括主要使用范德华力使一种气体结合到形成该金属-有机构架的多个连接物通道位点上。
21.一种用于在金属-有机构架内存储气体的方法,该方法包括:
使用一种微孔构架以便优化甲烷存储密度和体积甲烷存储量,其中该微孔构架包括开放的铜位点和连接物通道位点。
22.如权利要求21所述的方法,进一步包括使甲烷在一个连接物通道位点结合到形成该金属-有机构架的至少两个有机连接物上。
23.如权利要求21所述的方法,进一步包括主要使用范德华力使一种气体结合到形成该金属-有机构架的多个连接物通道位点上。
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