[发明专利]通过高沸点的氯硅烷或含氯硅烷的混合物制备氯硅烷的方法有效
| 申请号： | 201280018504.5 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103517874B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | E·米;H·劳莱德;R·肖尔克 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 石克虎;林森 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 沸点 硅烷 混合物 制备 方法 | ||
1.制备通式H4-nSiCln的氯硅烷的方法，其中n＝1、2、3和/或4，其特征在于，在至少一个含硅的反应器中，硅床中的硅与Cl2或HCl和至少一种含硅的化合物进行反应。
2.根据权利要求1的方法，其中使用固定床反应器、流化床反应器和/或搅拌床反应器。
3.根据权利要求1或2的方法，其中硅床中的Si与Cl2或HCl，和至少一种以混合物G形式的含硅化合物进行反应，
(G)含有带有至少2个Si原子的聚硅烷、聚氯硅烷、聚甲基氯硅烷、含氯的聚硅氧烷、不含氯的聚硅氧烷、聚甲基氯硅氧烷、HSiCl3、(CH3)HSiCl2、(CH3)H2SiCl、CH3SiCl3、(CH3)2SiCl2、(CH3)3SiCl、CH3SiH3、(CH3)2SiH2、(CH3)3SiH和/或SiCl4。
4.根据权利要求2或3的方法，其特征在于，Cl2或HCl在固定床反应器和/或流化床反应器的格栅的下面流过硅床，并且混合物G在格栅的下面或上面流进。
5.根据前述权利要求之一的方法，其特征在于，反应器调节到反应器中心的温度为800℃至1300℃。
6.根据权利要求3-5之一的方法，其中G是由以下物质组成的混合物：
聚硅烷和聚硅氧烷，
聚硅烷和SiCl4，
聚硅烷和HSiCl3，
聚硅烷和聚硅氧烷和SiCl4，
聚硅烷和聚硅氧烷和HSiCl3，
聚硅烷和聚硅氧烷和SiCl4和HSiCl3，
聚硅氧烷和SiCl4，
聚硅氧烷和HSiCl3，或者
聚硅氧烷和SiCl4和HSiCl3。
7.根据权利要求1的方法，其中所述含硅的化合物选自含氯或不含氯的硅氧烷，或者通式SinHxCly的硅烷，是线性的，n＝1至20，x+y＝2n+2，或者环状的，n＝3至8，x+y＝2n。
8.根据权利要求1、4或5的方法，其中所述反应器，
如果使用Cl2而不使用HCl，则在反应器中心调节温度为900℃至1300℃，或者，
如果使用HCl而不使用Cl2，则在反应器中心调节温度为800℃至1200℃，优选900℃至1100℃，特别优选950℃至1050℃。
9.根据权利要求3-8之一的方法，其中，通过氯化氢流或流进的混合物G的流来调节反应器中心的温度。
10.根据前述权利要求之一的方法，其中，用至少一种液态的含硅化合物流过硅床。
11.根据权利要求1至10至少一项获得的氯硅烷。
12.根据权利要求11的氯硅烷，处于与高沸物一起形成的混合物中，含有：
10至20重量％HSiCl3或80至90％重量％SiCl4和0.1至3重量％二氯硅烷，和0.1至3重量％高沸物。
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