[发明专利]用于运行由逆变器操控的电机的控制装置和方法有效

专利信息
申请号: 201280018513.4 申请日: 2012-02-15
公开(公告)号: CN103596797A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: T·海德里希;M·希尔施;M·克雷奇默;S·加布;C·德琼加;T·维尔纳;M·赫布 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: B60L3/06 分类号: B60L3/06;B60L3/12;G01K7/42;H01L27/02;H02M1/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 臧永杰;胡莉莉
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 运行 逆变器 操控 电机 控制 装置 方法
【权利要求书】:

1.用于运行由逆变器(2)控制的n相电机(1)的方法,其中n≥1,其中所述逆变器(3)包括具有可控功率开关元件(3)和分别与之并联的功率二极管(4)形式的功率器件的n个半桥分支(10-U、10-V、10-W),其中每个所述半桥分支(10-U;10-V;10-W)布置在单独的半导体模块(11-U;11-V;11-W)上,其共同布置在基板(12)上,其中至少对于低于可预定转速阈值的电机(1)的转速范围,

-确定流经半桥分支(10-U、10-V、10-W)的相电流(I_U、I_V、I_W),在功率器件上所施加的电压和半导体模块(11-u、11-V、11-W)上的温度(t_Sens_U、t_Sens_V、t_Sens_W),

-从分别在功率器件处流动的电流(I_U;I_V;I_W)和分别施加的电压为每个所述功率器件计算损耗功率(P),

-从损耗功率(P)为每个所述功率器件以及为温度传感器(13-U、13-V、13-W)确定相应的温度偏移(Δt;Δt_Sens),所述温度传感器用于确定半导体模块上的温度,

-从所确定的在半导体模块(11-u、11-V、11-W)上的温度(t_Sens_U、t_Sens_V、t_Sens_W)和所确定的在温度传感器(13-U、13-V、13-W)处的温度偏移(Δt_Sens)确定基板(12)的温度(TempCooler),以及

-根据所确定的温度偏移(Δt)和所确定的基板(12)的温度(TempCooler)来确定电机(1)的转矩或者功率。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,从所确定的在功率开关元件(3)处的温度偏移(Δt)确定功率开关元件(3)处的最大温度偏移,从所确定的在功率二极管(4)处的温度偏移(Δt)确定功率二极管(4)处的最大温度偏移,以及根据功率开关元件(3)和功率二极管(4)处的所确定的最大温度偏移确定电机(1)的转矩或者功率。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,从所确定的基板(12)的温度和所确定的在功率开关元件(3)和功率二极管(4)处的最大温度偏移确定功率开关元件(3)的绝对温度的最大值(TmaxS)或者功率二极管(4)的绝对温度的最大值(TmaxD)并根据功率开关元件(3)和功率二极管(4)的所形成的最大值(TmaxS;TmaxD)确定电机(1)的转矩或者功率。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于,为了确定基板(12)的温度(TempCooler)

-从通过在半导体模块(11)上的温度传感器(13)所检测的温度(t_Sens)中减去为半导体模块(11)上的温度传感器(13)所确定的温度偏移(Δt_Sens),并且

-从以这种方式所确定的温度值通过形成平均值确定基板(12)的温度(TempCooler)。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,借助至少一个传递函数从半导体模块(11)上的至少一个功率器件的损耗功率(P)确定该半导体模块(11)上的温度传感器(13)处的温度偏移(Δt_Sens)。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,只考虑对温度传感器(13)有热影响的功率器件的损耗功率(P)。

7.根据权利要求5或6任一项所述的方法,其特征在于,借助分别分配的且彼此不同的传递函数从各个功率器件的损耗功率(P)分别确定温度偏移分量并且通过对各个温度偏移分量形成和来确定温度传感器(13)处的温度偏移(Δt_Sens)。

8.根据权利要求2至7中任一项所述的方法,其特征在于,当所确定的温度偏移(Δt)和/或所确定的绝对温度值超过可预定极限值时,将电机(1)的转矩或者功率限制到可预定的最大值。

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