[发明专利]π电子共轭的嵌段共聚物及光电转换元件无效

专利信息
申请号: 201280018561.3 申请日: 2012-03-09
公开(公告)号: CN103459456A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 稻垣拓也;涉谷宽政;杉冈尚;伊泽隆文;森原靖;中原淳裕;藤田明士;大木弘之 申请(专利权)人: 可乐丽股份有限公司
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;C08K3/04;C08L65/00;H01L51/42
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 高旭轶;梁谋
地址: 日本冈山县*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子 共轭 共聚物 光电 转换 元件
【权利要求书】:

1.π电子共轭嵌段共聚物,所述π电子共轭嵌段共聚物连续或非连续键合聚合物嵌段(A)和聚合物嵌段(B),所述聚合物嵌段(A)包含在化学结构的一部分上具有至少一种杂芳基骨架的单体单元,所述杂芳基骨架选自噻吩、芴、咔唑、二苯并硅杂环戊二烯和二苯并锗杂环戊二烯;所述聚合物嵌段(B)包含类似地具有至少一种杂芳基骨架的单体单元;其中

所述聚合物嵌段(A)包含具有取代基RnA的单体单元的均聚物嵌段,所述取代基RnA是具有1–18个碳原子的烷氧基或烷基,且

所述聚合物嵌段(B)包含具有取代基RnB的至少两种彼此不同类型的单体单元的共聚物嵌段,所述取代基RnB选自具有1–18个碳原子的烷氧基或烷基,所述1–18个碳原子可以被烷氧基、卤素原子、羟基、氨基、巯基、甲硅烷基、芳基、酯基或杂芳基所取代。

2.根据权利要求1所述的π电子共轭嵌段共聚物,其特征在于构成所述聚合物嵌段(A)和所述聚合物嵌段(B)的单体单元的杂芳基骨架是在其化学结构的一部分中具有至少一个噻吩环的基团。

3.根据权利要求1所述的π电子共轭嵌段共聚物,其特征在于所述聚合物嵌段(A)或所述聚合物嵌段(B)包含单体单元-a-b-,且

所述-a-具有由以下化学式(1) - (8)代表的基团中的任一种,

所述-b-具有由以下化学式(9) - (19)代表的基团中的任一种,

在所述式(1) - (19)中:

V1是氮(-NR1-)、氧(-O-)或硫(-S-);V2是碳(-CR12-)、氮(-NR1-)、硅(-SiR12-)或锗(-GeR12-);V3是由-(Ar)q-代表的芳基或杂芳基;V4是氮(-NR1-)、氧(-O-)或-CR2=CR2-;且V5是氧(-O-)或硫(-S-):   

R1各自独立地是具有可以被取代的1-18个碳原子的烷基,

R2各自独立地是氢原子或具有可以被各自独立地取代的1-18个碳原子的烷基,

R3各自独立地是具有可以被取代的1-18个碳原子的烷基或烷氧基,

R4各自独立地是氢原子、卤素原子、或具有可以被取代的1-18个碳原子的芳基或烷基,

R5是具有可以被取代的1-18个碳原子的芳基、烷基羰基或烷基氧基羰基或烷基,R6是氢原子或卤素原子:

p是1 - 3的整数且q代表0 - 3的整数:

此处,包含在所述聚合物嵌段(A)中的单体单元-a-b-的R- R5中的至少一个是RnA,且包含在所述聚合物嵌段(B)中的单体单元-a-b-的R- R5中的至少一个是RnB,所述RnB可以被烷氧基、卤素原子、羟基、氨基、巯基、甲硅烷基、酯基、芳基或杂芳基所取代。

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