[发明专利]用于高效率可变电力发送的设备和方法有效

专利信息
申请号: 201280018589.7 申请日: 2012-02-15
公开(公告)号: CN103477537B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 崔真诚;洪荣泽;权相旭;朴允权;梁泳龟;朴垠锡;金起永;柳荣颢;金南伦;金东照 申请(专利权)人: 三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团
主分类号: H02J5/00 分类号: H02J5/00;H02J7/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 代理人: 韩明星,刘奕晴
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 高效率 可变 电力 发送 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种高效率可变电力发送设备,所述设备包括:

可变电力产生单元,被构造为通过接通和断开具有恒定振幅的高频信号来相对于时间轴调制所述高频信号以输出可变电力;

功率放大器(PA),被构造为基于具有预定电平的电源电压放大可变电力以满足目标装置所需要的电力电平;

电源,被构造为将从电力源接收的交流(AC)电压转换为直流(DC)电压,基于DC电压产生具有预定电平的电源电压,并将具有预定电平的电源电压提供给PA。

2.如权利要求1所述的设备,所述设备还包括:发送单元,被构造为通过发送线圈或天线将放大后的可变电力发送到目标装置。

3.如权利要求1所述的设备,其中,可变电力产生单元包括:

高频信号产生单元,被构造为产生具有恒定振幅的高频信号;

调制信号产生单元,被构造为产生具有根据目标装置所需要的电力电平的占空比的低频调制信号;

开关控制器,被构造为基于低频调制信号控制开关的接通和断开状态来调制高频信号以产生可变电力。

4.如权利要求1所述的设备,其中,可变电力产生单元包括:

高频信号产生单元,被构造为产生具有恒定振幅的高频信号;

调制信号产生单元,被构造为产生具有根据目标装置所需要的电力电平的占空比的低频调制信号;

数字逻辑处理单元,被构造为基于低频调制信号执行逻辑运算来调制高频信号以产生可变电力。

5.如权利要求1所述的设备,其中,可变电力产生单元包括:

高频信号产生单元,被构造为产生具有恒定振幅的高频信号;

调制信号产生单元,被构造为产生具有根据目标装置所需要的电力电平的占空比的低频调制信号;

控制器,被构造为基于低频调制信号控制高频信号产生单元的操作来产生可变电力。

6.如权利要求5所述的设备,其中,调制信号产生单元通过执行德尔塔-西格玛调制来产生低频调制信号。

7.如权利要求1所述的设备,其中,电源包括:整流单元,被构造为对AC电压进行整流来产生DC电压。

8.如权利要求1所述的设备,其中,电源包括:

变换单元,被构造为将从电力源接收的AC电压变换为具有与PA的额定电压相对应的电平的AC电压;

整流单元,被构造为对具有与PA的额定电压相对应的电平的AC电压进行整流来产生DC电压。

9.如权利要求1所述的设备,其中,PA被构造为以开关模式或饱和模式操作为具有从由D类、E类、F类、E/F类、逆D类、逆E类和逆F类构成的组中选择的类的放大器。

10.如权利要求1所述的设备,其中,PA包括从由氮化镓(GaN)电力装置、碳化硅(SiC)电力装置、横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)电力装置以及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)构成的组中选择的至少一个电力装置。

11.一种高效率可变电力发送设备,所述设备包括:

高频信号产生单元,被构造为产生具有恒定振幅的高频信号;

功率放大器(PA),被构造为基于可变电源电压放大高频信号以满足目标装置所需要的电力电平;

可变电源,被构造为将从电力源接收的交流(AC)电压转换为直流(DC)电压,通过接通和断开DC电压来相对于时间轴调制DC电压以产生可变电源电压,并将可变电源电压提供给PA。

12.如权利要求11所述的设备,其中,可变电源包括:

整流单元,被构造为对AC电压进行整流来产生DC电压;

调制信号产生单元,被构造为产生具有根据目标装置所需要的电力电平的占空比的低频调制信号;

开关控制器,被构造为基于低频调制信号控制开关的接通和断开状态来调制DC电压以产生可变电源电压。

13.如权利要求12所述的设备,其中,调制信号产生单元通过执行德尔塔-西格玛调制来产生低频调制信号。

14.如权利要求11所述的设备,其中,PA被构造为以开关模式或饱和模式操作为具有从由D类、E类、F类、E/F类、逆D类、逆E类和逆F类构成的组中选择的类的放大器。

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