[发明专利]发射极化辐射的半导体芯片

权利要求书

1.发射辐射的半导体芯片(1)，包括：

-带有活性区(3)的半导体本体(2)，该活性区发射非极化的辐射，所述非极化的辐射带有第一极化的第一辐射部分(S1)和第二极化的第二辐射部分(S2)：

-格栅结构(4)，该格栅结构用作延迟板或极化过滤器，且使得在由半导体芯片(1)通过耦合输出侧(6)发射的辐射(S)中的一个辐射部分(S1、S2)相比于另一辐射部分(S2、S1)有所增加，从而半导体芯片(1)发射极化的辐射(S)，该极化的辐射具有增强的辐射部分(S1、S2)的极化，其中，减弱的辐射部分(S2、S1)保留在半导体芯片(1)中；

-光学结构(5)，该光学结构把保留在半导体芯片(1)中的减弱的辐射部分(S2、S1)的至少一部分的极化转换为增强的辐射部分(S1、S2)的极化；和

-位于耦合输出侧(6)的对面的反射性背面(7)。

2.如权利要求1所述的发射辐射的半导体芯片(1)，其中，格栅结构(4)包括多个交替地布置的、第一材料的第一格栅区域(4a)和第二材料的第二格栅区域(4b)，并且相同材料的格栅区域(4)相互间的间距(a)小于由活性区(3)产生的辐射的波长。

3.如权利要求2所述的发射辐射的半导体芯片(1)，其中，第一和第二格栅区域(4a、4b)被构造为条形且相互平行地布置。

4.如权利要求2或3所述的发射辐射的半导体芯片(1)，其中，用作延迟板的格栅结构(4)的第一或第二格栅区域(4a、4b)由对于在活性区(3)中产生的辐射来说能被透过的材料、特别是SiO2、GaAs、AlGaAs、InGaAlP或GaN构成。

5.如前述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体芯片(1)，其中，当经由用作延迟板的格栅结构(4)透射时，第一辐射部分(S1)经历不同于第二辐射部分(S2)的相移。

6.如权利要求5所述的发射辐射的半导体芯片(1)，其中，用作延迟板的格栅结构(4)布置在半导体芯片(1)的活性区(3)与反射性背面(7)之间，并且活性区(3)与反射性背面(7)之间的间距(d)被调节为，使得通过相同极化的辐射的干涉而使得所述一个辐射部分(S1、S2)增强且所述另一辐射部分(S2、S1)减弱。

7.如权利要求2或3所述的发射辐射的半导体芯片(1)，其中，用作极化过滤器的格栅结构(4)的第一格栅区域(4a)含有金属或者由金属构成。

8.如权利要求7所述的发射辐射的半导体芯片(1)，其中，所述一个辐射部分(S1、S2)在用作极化过滤器的格栅结构(4)处被透射，而所述另一辐射部分(S2、S1)则被反射。

9.如权利要求7或8所述的发射辐射的半导体芯片(1)，其中，用作极化过滤器的格栅结构(4)布置在半导体本体(2)的耦合输出侧的表面(10)上。

10.如权利要求7-9中任一项所述的发射辐射的半导体芯片(1)，其中，格栅结构(4)是用于电流扩展的接触结构。

11.如权利要求2-10中任一项所述的发射辐射的半导体芯片(1)，其中，光学结构(5)具有结构化的区域(5a)，这些结构化的区域在与格栅结构(4)延伸所在的平面平行的平面中延伸，其中，结构化的区域(4a)横向于格栅区域(5a)伸展，并与该格栅区域夹成一个大于0°而小于90°、优选为45°的角度(α)。

12.如权利要求11所述的发射辐射的半导体芯片(1)，其中，结构化的区域(5a)至少部分地相互平行地布置。

13.如前述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体芯片(1)，其中，光学结构(5)具有结构化的区域(5a)，所述结构化的区域带有倾斜的侧面(11)，这些侧面以大于0°而小于90°、优选为45°的角度(β)相对于格栅结构(4)延伸所在的平面倾斜地伸展。

14.如权利要求13所述的发射辐射的半导体芯片(1)，其中，结构化的区域(5a)被构造成棱柱体或金字塔。

15.如前述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体芯片(1)，其中，反射性背面(7)设有光学结构(5)。