[发明专利]肖特基二极管

权利要求书

1.一种肖特基二极管，具有：

基板；

半导体层层叠体，其包括在上述基板上形成的第一氮化物半导体层、以及在该第一氮化物半导体层上形成并且与上述第一氮化物半导体层相比带隙更大的第二氮化物半导体层；

阳极电极以及阴极电极，在上述半导体层层叠体上相互隔开间隔地形成；以及

阻挡层，其在上述阳极电极与上述阴极电极之间的区域形成为与上述第二氮化物半导体层相接，

上述阳极电极的一部分以不与上述第二氮化物半导体层的表面相接的方式形成在上述阻挡层上，

上述阳极电极与上述阻挡层的势垒高度大于上述阳极电极与上述第二氮化物半导体层的势垒高度。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中，

上述半导体层层叠体包括多层上述第一氮化物半导体层和上述第二氮化物半导体层，

上述第一氮化物半导体层与上述第二氮化物半导体层交替层叠。

3.根据权利要求1或2所述的肖特基二极管，其中，

上述半导体层层叠体具有除去了上述第二氮化物半导体层的一部分而露出上述第一氮化物半导体层的阶梯部，

上述阳极电极形成为覆盖上述阶梯部并且与上述阻挡层相接。

4.根据权利要求1～3任一项所述的肖特基二极管，其中，

上述阻挡层由绝缘体构成。

5.根据权利要求1～3任一项所述的肖特基二极管，其中，

上述阻挡层由半导体构成。

6.一种肖特基二极管，具有：

基板；

半导体层层叠体，其包括在上述基板上形成的第一氮化物半导体层、以及在该第一氮化物半导体层上形成并且与上述第一氮化物半导体层相比带隙更大的第二氮化物半导体层；以及

阳极电极以及阴极电极，在上述半导体层层叠体上相互隔开间隔地形成，

上述半导体层层叠体具有除去了上述第二氮化物半导体层的一部分而露出上述第一氮化物半导体层的第一阶梯部以及第二阶梯部，

上述阳极电极以及阴极电极形成为分别覆盖上述第一阶梯部以及第二阶梯部，

上述阳极电极与上述第二氮化物半导体层表面的重叠长度比上述阴极电极与上述第二氮化物半导体层表面的重叠长度短。

7.根据权利要求6所述的肖特基二极管，其中，

上述半导体层层叠体包括多层上述第一氮化物半导体层和上述第二氮化物半导体层，

上述第一氮化物半导体层与上述第二氮化物半导体层交替层叠。