[发明专利]薄膜晶体管、显示面板和薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，具备：

设置于基板的栅极电极；

以覆盖所述栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜；

设置在所述栅极绝缘膜上、以与所述栅极电极重叠的方式配置有沟道区域的包含氧化物半导体的半导体层；

隔着还原性高于该半导体层的金属层设置于所述半导体层、以夹着所述沟道区域地相互分离的方式配置的源极电极和漏极电极；

设置于所述半导体层、与所述金属层接触而被还原的导电区域；和

设置于所述半导体层、用于抑制所述导电区域对所述沟道区域的扩散的扩散抑制部。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：

所述扩散抑制部以抑制所述半导体层与所述金属层的接触面积的方式构成。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于：

所述金属层设置于所述半导体层的与所述基板相反的一侧，

在所述半导体层，设置有分别构成所述扩散抑制部的第一开口部和第二开口部，使得所述栅极绝缘膜从该半导体层露出，

所述金属层经所述第一开口部和第二开口部的各侧壁与所述半导体层接触。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于：

在所述半导体层与所述金属层的层间，设置有包含无机绝缘膜的保护膜，

在所述保护膜，以与所述第一开口部重叠的方式设置有俯视时大于该第一开口部的第三开口部，并且以与所述第二开口部重叠的方式设置有俯视时大于该第二开口部的第四开口部，

所述第一开口部的侧壁和所述第三开口部的侧壁连续，并且所述第二开口部的侧壁和所述第四开口部的侧壁连续。

5.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于：

在所述半导体层与所述金属层的层间，设置有包含无机绝缘膜的保护膜，

在所述保护膜，以与所述第一开口部重叠的方式设置有俯视时大于该第一开口部的第三开口部，并且以与所述第二开口部重叠的方式设置有俯视时大于该第二开口部的第四开口部，

所述半导体层的所述第一开口部的端缘从所述第三开口部露出，并且所述半导体层的所述第二开口部的端缘从所述第四开口部露出。

6.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于：

在所述半导体层，以所述沟道区域的外侧的区域与所述栅极绝缘膜分离的方式设置有构成所述扩散抑制部的分离部，

所述金属层、源极电极和漏极电极设置于所述栅极绝缘膜与所述半导体层的分离部的层间，

所述金属层经所述分离部与所述半导体层接触。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于：

在所述半导体层上，以覆盖该半导体层的方式设置有包含无机绝缘膜的上侧保护膜。

8.如权利要求6或7所述的薄膜晶体管，其特征在于：

在所述源极电极和漏极电极与所述半导体层的分离部的层间，以覆盖该源极电极和漏极电极的上表面的方式设置有包含无机绝缘膜的下侧保护膜。

9.如权利要求6～8中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于：

所述源极电极和漏极电极设置在所述金属层上，

与所述半导体层的分离部接触的部分，所述金属层比所述源极电极和漏极电极突出。

10.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于：

在所述半导体层上，以覆盖该半导体层的上表面并且使该半导体层的侧面露出的方式形成有构成所述扩散抑制部的沟道保护膜，

所述金属层与从所述沟道保护膜露出的所述半导体层的侧面接触。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：

所述扩散抑制部以抑制所述导电区域的所述半导体层的膜厚的方式构成。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于：

所述半导体层与所述导电区域对应地具有形成得比所述沟道区域的膜厚薄、且分别构成所述扩散抑制部的第一薄膜部和第二薄膜部，

所述金属层经所述第一薄膜部和第二薄膜部与所述半导体层接触。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于：

所述半导体层中，所述第一薄膜部和第二薄膜部的膜厚为所述沟道区域的膜厚的1／10～1／2。