[发明专利]气态化学品向形成于中间介质层中的腔体内的注入以用于之后的热扩散释放

权利要求书

1.一种MEMS的制造方法，包括：

制造MEMS设备，所述MEMS设备具有由封装层密封的腔体；

将原子注入到所述封装层和与所述腔体相接的其他层中的一个或更多个中；和

使所述MEMS设备退火以将所述原子释放到所述腔体中并且使所述腔体增压。

2.权利要求1所述的方法，其中所述腔体包括第一腔体和经由通道连接到所述第一腔体的第二腔体。

3.权利要求2所述的方法，其进一步包括在所述封装层上形成掩模。

4.权利要求3所述的方法，其中所述注入包括将原子注入到与所述第二腔体相接的区域中的所述封装层中。

5.权利要求4所述的方法，其中所述原子选自氮、氦、氩、氙及其组合。

6.权利要求5所述的方法，其中制造MEMS设备包括：

将牺牲材料沉积在绝缘层上；

在所述牺牲材料中形成切换元件；

将牺牲材料沉积在所述切换元件上；和

将形成于所述绝缘层和所述切换元件上的牺牲材料移除。

7.权利要求6所述的方法，其中所述牺牲材料限定所述第一腔体、所述第二腔体和所述通道的边界。

8.权利要求7所述的方法，其中在移除所述牺牲材料之后，所述切换元件可在所述第一腔体内在与所述绝缘层接触的位置和与所述绝缘层隔开的位置之间移动。

9.权利要求1所述的方法，其中所述注入包括将原子注入到与所述腔体相接的区域中的所述封装层中。

10.权利要求9所述的方法，其中所述原子选自氮、氦、氩、氙及其的组合。

11.权利要求10所述的方法，其中制造MEMS设备包括：

将牺牲材料沉积在绝缘层上；

在所述牺牲材料中形成切换元件；

将牺牲材料沉积在所述切换元件上；和

将形成于所述绝缘层和所述切换元件上的牺牲材料移除。

12.权利要求11所述的方法，其中所述牺牲材料限定所述腔体的边界。

13.权利要求12所述的方法，其中在移除所述牺牲材料之后，所述切换元件可在所述腔体内在与所述绝缘层接触的位置和与所述绝缘层隔开的位置之间移动。

14.权利要求1所述的方法，其中制造MEMS设备包括：

将牺牲材料沉积在绝缘层上；

在所述牺牲材料中形成切换元件；

将牺牲材料沉积在所述切换元件上；和

将形成于所述绝缘层和所述切换元件上的牺牲材料移除。

15.权利要求14所述的方法，其中所述牺牲材料限定所述腔体的边界。

16.权利要求15所述的方法，其中在移除所述牺牲材料之后，所述切换元件可在所述腔体内在与所述绝缘层接触的位置和与所述绝缘层隔开的位置之间移动。

17.一种MEMS设备，包括：

其中具有可在第一位置和第二位置之间移动的切换元件的第一腔体；

相邻于所述第一腔体设置的第二腔体；

将所述第一腔体连接到所述第二腔体的通道；和

注入到所述第二腔体边界部分中的原子。

18.权利要求17所述的MEMS设备，其中所述原子选自氮、氦、氩、氙及其组合。