[发明专利]用于流体样本的表面声波处理的射流装置、射流装置的用途以及制造射流装置的方法

权利要求书

1.一种用于处理至少一个流体样本的射流装置，所述装置包括：

处理表面，其用于定位所述流体样本；

表面声波SAW生成材料层，其中：

所述SAW生成材料层的材料选自由下列项组成的组：多晶材料、纹理化多晶材料、双轴纹理化多晶材料、微晶材料、纳米晶体材料、非晶材料和复合材料，或

所述SAW生成材料层不是单晶层的形式，

换能器电极结构，其被布置在所述SAW生成材料层处，以在所述处理表面提供SAW，用于与所述流体样本相互作用，

其中所述处理表面具有至少一个表面声波SAW散射元件，用于影响SAW在所述处理表面的传输、分布及/或行为。

2.根据权利要求1所述的射流装置，其中所述SAW生成材料层是由铁电材料、热电材料、压电材料或磁致伸缩材料形成的。

3.根据权利要求1或2所述的射流装置，其中所述换能器电极结构至少部分地嵌入所述SAW生成材料层中。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的射流装置，其中所述换能器是可调谐的，使得SAW发射串的横向位置是可移动的。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的射流装置，其中所述处理表面是所述SAW生成材料层的表面，可选择地被表面钝化膜覆盖。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的射流装置，其中所述至少一个SAW散射元件包括所述处理表面的轮廓中的线性延伸变化。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的射流装置，其中设置了具有基于周期性布局的布局的多个SAW散射元件。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的射流装置，其中所述SAW散射元件至少部分地在所述SAW生成材料层中形成，并且与所述SAW生成材料层的表面相交。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的射流装置，其中所述装置包括用于所述流体样本的至少一个封闭通道，所述通道的至少一侧以所述处理表面为界。

10.根据权利要求9所述的射流装置，其中所述通道的对侧以钝化囊封表面为界。

11.根据权利要求9所述的射流装置，其中所述通道的两个或多于两个侧能够以处理表面为界，每一个处理表面适于设置有SAW，用于与所述通道中的流体样本相互作用，且其中每一个处理表面可选择地具有至少一个SAW散射元件，用于影响SAW在所述处理表面的传输、分布及/或行为。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的射流装置，具有：

第一SAW生成材料层和相关联的换能器电极结构；

第一处理表面，在所述第一处理表面处提供有来自所述第一SAW生成材料层的SAW；

第二SAW生成材料层和相关联的换能器电极结构；以及

第二处理表面，在所述第二处理表面处提供有来自所述第二SAW生成材料层的SAW，

其中所述第一处理表面和所述第二处理表面限定它们之间的用于所述流体样本的通道。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的射流装置，其中所述装置还包括至少一个贮液囊。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的射流装置，其中所述装置还包括至少一个孔径。

15.一种处理至少一个流体样本的射流装置的用途，所述装置包括：处理表面，所述流体样本被定位在所述处理表面处；

表面声波SAW生成材料层，其中：

所述SAW生成材料层的材料选自由下列项组成的组：多晶材料、纹理化多晶材料、双轴纹理化多晶材料、微晶材料、纳米晶体材料、非晶材料和复合材料，或

所述SAW生成材料层不是单晶层的形式，

换能器电极结构，其被布置在所述SAW生成材料层处，

其中所述装置被操作以在所述处理表面提供SAW，用于与所述流体样本相互作用，且其中所述处理表面具有至少一个SAW散射元件，用于影响SAW在所述处理表面的传输、分布及/或行为。

16.根据权利要求15所述的用途，其中对所述流体样本的处理包括以下项中的一个或多个：沿着样本处理区域移动所述样本；分割所述样本；组合两个或多于两个样本；使来自所述样本处理区域的样本雾化；加热所述样本；浓缩所述样本中的物种；混合所述样本；将流体样本分类；将流体样本内的颗粒或细胞分类。