[发明专利]改进的超声处理方法和装置

权利要求书

1.一种用于处理衬底的装置，其包括：

用于所述衬底的保持器；

设置为与被所述保持器保持时的衬底间隔预定距离的声波谐振器组件；

用于供应液体到被所述保持器保持时的所述衬底和所述声波谐振器之间的间隙中的分配器；和

声能的源，其能够为所述声波谐振器组件供应具有至少约100MHz的频率的声能。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述保持器是用于在用于单个晶片湿法处理的工艺模块中支撑半导体晶片的旋转卡盘。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述声能的源为所述声波谐振器组件供应具有至少500MHz的、优选地至少1GHz的、且更优选地在从500MHz到5GHz的范围内的频率的声能。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述声波谐振器组件包括具有从200nm到20微米的、优选地从500nm到10微米的、且更优选地1-5微米的范围内的厚度的至少一个压电层。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述声波谐振器组件相对于所述保持器进行设置，使得当衬底被所述保持器支撑时，所述预定距离在从100μm到1000μm的范围内。

6.根据权利要求4所述的装置，其中所述至少一个压电层是包括选自由AlN、锆钛酸铅（PZT）、ZnO和GaAs组成的组中的至少一种压电材料的多个层，所述多个层被耦合到面向所述保持器的谐振器板；其中所述多个层与成对的电极接触，其中第一电极被设置在所述多个层的一侧上，而第二电极被设置在所述多个层的相对侧上。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述谐振器板包括选自由蓝宝石、硅和石英组成的组中的至少一种材料。

8.一种用于处理衬底的方法，其包括：

将衬底放置在保持器上；

距所述衬底的表面预定距离设置声波谐振器组件；

将处理液分配到所述声波谐振器组件和所述衬底之间的间隙中；以及

将具有至少约100MHz的频率的声能供应给所述声波谐振器组件。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述保持器是用于在用于单个晶片湿法处理的工艺模块中支撑半导体晶片的旋转卡盘。

10.根据权利要求8所述的方法，其中将具有至少500MHz的、优选地至少1GHz的、且更优选地在从500MHz到5GHz的范围内的频率的声能供应给所述声波谐振器组件。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述声波谐振器组件包括具有从200nm到20μm的、优选地从500nm到10μm的、且更优选地1-5μm的范围内的厚度的至少一个谐振器岛。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述预定距离小于0.2mm，且优选地在从100μm到1000μm的范围内。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述至少一个谐振器岛被耦合到面向所述保持器的谐振器板，且其中所述谐振器板包括选自由蓝宝石、硅和石英组成的组中的至少一种材料。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述处理液是选自由去离子水、酒精、酸和碱组成的组中的用于清洗所述半导体晶片的表面的液体。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述处理液是含有金属离子的、优选地是铜离子的溶液，以用于将金属，优选地是铜，电沉积到所述半导体衬底的表面上。