[发明专利]测试半导体电源开关的系统和方法

权利要求书

1.一种用于测试包括高功率组件的切割的半导体管芯（3）的测试构件（A），所述构件包括：

电流输入，所述电流输入可连接到电流源（5），用于向所述高功率组件提供高电流；

第一接触单元（1），所述第一接触单元（1）适于支撑所述半导体管芯（3）；

第二接触单元（2），所述第二接触单元（2）相对于所述第一接触单元可移动安装；

至少一个导电性弹性护套（4），所述至少一个导电性弹性护套（4）适于当所述第二接触单元（2）在测试期间被带向所述半导体管芯（3）时被夹在所述半导体管芯（3）和所述第二接触单元（2）之间，所述护套（4）当因此被夹住时形成了从所述电流输入通过所述高功率组件的至少一部分的电路径的一部分。

2.根据权利要求1所述的测试构件，包括信号输出（60），所述信号输出（60）可连接到信号分析器，用于接收表示当提供所述高电流时感测到的所述高功率组件的感测参数的信号。

3.根据任何权利要求1或2中的任一项所述的测试构件，其中所述护套（4）具有与所述管芯（3）的电接触表面，与所述管芯（3）的电接触表面大于与所述第二接触单元（2）的电接触表面。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的测试构件，其中所述高功率组件是功率FET晶体管，其中所述第一接触单元（1）包括适于与所述半导体管芯（3）上的漏极触头（31）接触的至少一个第一接触表面（11），并且其中所述第二接触单元（2）包括适于与所述半导体管芯（3）上的源极触头（32）接触的至少一个第二接触表面（22）。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的测试构件，其中所述第二接触单元（2）包括至少一个第一辅助触头（23）并且其中所述护套（4）包括适于面向所述半导体管芯（3）的触头（33）的第一开孔（41），由此所述第一辅助触头（23）适于直接接触所述触头（33）。

6.根据权利要求5所述的测试构件，其中所述第二接触单元（2）进一步包括至少一个第二辅助触头（24），并且其中所述护套（4）进一步包括面向所述第二辅助触头（24）的至少一个对应的附加开孔（42）。

7.根据权利要求4或权利要求5或6中的任一项所述的测试构件，其中：所述功率FET晶体管具有漏极触头（31）、源极触头（32）以及栅极触头（33），

所述第一接触单元（1）的所述第一接触表面（11）适于接触所述漏极触头（31），

所述第二接触单元（2）的所述第二接触表面（22）适于利用所述护套（4）的插入接触所述源极触头（32），以及

所述第二接触单元（2）的所述辅助触头（23）适于直接接触所述栅极触头（33）。

8.根据权利要求1-7中的任一项所述的测试构件，其中所述护套（4）由装有钢和/或铜粒子的弹性材料制成。

9.根据权利要求1-8中的任一项所述的测试构件，包括第二导电性弹性护套（40），所述第二导电性弹性护套（40）适于被夹在所述半导体管芯（3）和所述第一接触单元（1）之间。

10.根据权利要求9所述的测试构件，其中所述第二护套（40）的各自表面分别与所述第一接触单元（1）的所述第一接触表面（11）和所述管芯的底表面直接接触。

11.一种用于测试形成切割的半导体管芯的一部分的高功率组件的方法，所述方法包括：

/a/-将所述半导体管芯（3）置于具有第一接触表面（11）的第一接触单元（1）上，

/b/-将导电性弹性护套（4）置于所述半导体管芯上，

/c/-使第二接触单元（2）相对于所述第一接触单元可移动安装，以接触所述护套（4），所述第二接触单元（2）具有第二接触表面（22），以及

/d/-提供通过所述护套（4）在所述半导体管芯和所述第二接触单元（2）之间流动的高测试电流。

12.根据权利要求11所述的方法，包括：在/a/之前，

/a0/-将第二导电性弹性护套（40）置于所述第一接触单元（1）上，并且其中在步骤/a/中，所述半导体管芯（3）被置于所述第二导电性护套（40）上，由此所述测试电流通过所述第二护套（40）在所述第一接触单元（1）和所述半导体管芯之间以及通过所述护套（4）在所述半导体管芯和所述第二接触单元（2）之间流动。