[发明专利]关于石墨烯的结构和方法

权利要求书

1.一种石墨烯异质结构，其具有：

第一封装层；

第二封装层；和

布置在所述第一封装层与所述第二封装层之间的石墨烯层。

2.根据权利要求1所述的石墨烯异质结构，其中所述第一封装层和/或所述第二封装层是六方氮化硼。

3.根据权利要求1或2所述的石墨烯异质结构，其中所述石墨烯层直接相邻所述第一封装层，并且所述第二封装层直接相邻所述石墨烯层。

4.根据前述权利要求中任一项所述的石墨烯异质结构，其中所述石墨烯层是单个石墨烯片。

5.根据前述权利要求中任一项所述的石墨烯异质结构，其中使所述石墨烯层成形以形成结构。

6.根据前述权利要求中任一项所述的石墨烯异质结构，其中所述石墨烯异质结构包括一个或更多个触点，所述一个或更多个触点中的每一个布置在一个或更多个相应的接触区上，所述接触区包括在形成于所述石墨烯层中的结构中。

7.根据前述权利要求中任一项所述的石墨烯异质结构，其中所述第二封装层相对于所述石墨烯层对准，使得所述第二封装层只覆盖所述石墨烯层的一部分，使得包括在所述石墨烯层中形成的结构中的一个或更多个接触区不被所述第二封装层覆盖。

8.根据前述权利要求中任一项所述的石墨烯异质结构，其中所述石墨烯异质结构包括在其上布置有所述第一封装层的基底。

9.根据前述权利要求中任一项所述的石墨烯异质结构，其中所述异质结构还包括第二石墨烯层。

10.一种制备石墨烯异质结构的方法，所述方法包括：

将石墨烯层沉积在第一封装层上；和

将第二封装层沉积在所述石墨烯层上，使得所述石墨烯层布置在所述第一封装层与所述第二封装层之间。

11.根据权利要求10所述的方法，其中通过剥离将所述第一封装层沉积在所述基底上。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其中使用前体结构将所述石墨烯层沉积在所述第一封装层上，所述前体结构包括布置在载体层上的所述石墨烯层，所述方法包括：

将所述前体结构沉积在所述第一封装层上，所述石墨烯层面向所述第一封装层；和

随后，从所述石墨烯层去除所述载体层。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其中使用前体结构将所述第二封装层沉积在所述石墨烯层上，所述前体结构包括布置在载体层上的所述第二封装层，所述方法包括：

将所述前体结构沉积在所述石墨烯层上，所述第二封装层面向所述石墨烯层；和

随后，从所述第二封装层去除所述载体层。

14.根据权利要求10至13中任一项所述的方法，其中所述方法包括在沉积任一个或更多个所述层之后，通过退火清洁所述石墨烯异质结构。

15.一种使用前体结构将材料层沉积在表面上的方法，所述前体结构包括布置在载体层上的所述材料层，所述方法包括：

将所述前体结构沉积在所述表面上，使所述材料层面向所述表面；和

随后，从所述材料层去除所述载体层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述材料层的厚度为10nm或更小。

17.根据权利要求15或16所述的方法，其中所述方法是使用前体结构将材料层沉积在表面上以形成石墨烯异质结构的方法。

18.根据权利要求15至17中任一项所述的方法，其中所述材料层是石墨烯或六方氮化硼。

19.根据权利要求15至18中任一项所述的方法，其中将所述前体结构沉积在所述表面上包括使用支撑件拾取所述前体结构。

20.根据权利要求15至19中任一项所述的方法，其中在将所述前体结构沉积在所述表面上之前将其相对于所述表面对准。

21.根据权利要求15至20中任一项所述的方法，其中通过蚀刻去除所述载体层。

22.根据权利要求15至21中任一项所述的方法，其中所述方法包括在去除所述载体层之后，通过退火清洁所述包括所沉积的材料层的结构。