[发明专利]氮化物半导体发光芯片、氮化物半导体发光装置及氮化物半导体芯片的制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光芯片，其特征在于包括：

具有氮化物半导体层的导电性基板、

形成在所述氮化物半导体层的主面上的n型氮化物半导体层、

形成在所述n型氮化物半导体层上的活性层、

形成在所述活性层上的p型氮化物半导体层、以及

被设置成为与所述导电性基板接触的n侧电极，

所述导电性基板具有多个凹部，该多个凹部形成在与所述主面相反一侧的背面且彼此被隔离开的位置上，

所述n侧电极与所述凹部表面的至少一部分接触，

当设所述导电性基板的厚度为T、设所述凹部的深度为D1时，深度D1在厚度T的25％以上。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

深度D1在厚度T的44％以上。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

深度D1在厚度T的57％以上。

4.根据权利要求1到3中任一项权利要求所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

深度D1在厚度T的76％以上。

5.根据权利要求1到4中任一项权利要求所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

厚度T在80μm以上且200μm以下。

6.根据权利要求1到5中任一项权利要求所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

厚度T在100μm以上且150μm以下。

7.根据权利要求1到6中任一项权利要求所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

以在俯视所述氮化物半导体发光芯片时每一个22500μm²的面积下有一个所述凹部的密度布置有所述凹部。

8.根据权利要求1到7中任一项权利要求所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

以在俯视所述氮化物半导体发光芯片时每一个10000μm²的面积下有一个所述凹部的密度布置有所述凹部。

9.根据权利要求1到8中任一项权利要求所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

所述凹部的表面与所述n侧电极的接触面积，在俯视所述氮化物半导体发光芯片时该氮化物半导体发光芯片面积的5％以上且18％以下。

10.根据权利要求1到9中任一项权利要求所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

所述导电性基板具有设置在所述凹部的表面上的、微细的第一凹凸构造。

11.根据权利要求1到10中任一项权利要求所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

所述凹部是沿着一个方向延伸的槽部，

当设所述槽部的延伸方向与来自所述活性层的光的偏振方向所成的角度为θ1时，角度θ1在25°以上且90°以下。

12.根据权利要求11所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

所述角度θ1在45°以上且90°以下。

13.根据权利要求11或12所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

所述角度θ1约为90°。

14.根据权利要求1到10中任一项权利要求所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

所述导电性基板具有设置在所述背面中未形成有所述凹部的区域的第二凹凸构造，

所述第二凹凸构造比所述凹部的深度小。

15.根据权利要求14所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

所述第二凹凸构造是条纹构造，当设所述条纹构造的延伸方向与来自所述活性层的光的偏振方向所成的角度为θ2时，角度θ2在0°以上且45°以下。

16.根据权利要求15所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

所述角度θ2在0°以上且25°以下。

17.根据权利要求15或16所述的氮化物半导体发光芯片,其特征在于：

所述角度θ2约为0°。