[发明专利]无金的欧姆接触有效
| 申请号： | 201280020021.9 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103636001A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | R·V·谢拉卡拉;T·E·卡齐奥;J·R·拉罗什 | 申请（专利权）人： | 雷声公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 欧姆 接触 | ||
【权利要求书】：
1.一种器件，包括：
III-V族半导体；以及
无金的导电结构，其与所述半导体欧姆接触。
2.一种半导体结构，包括：
半导体；
无金的导电结构，其与所述半导体欧姆接触，这样的结构包括：
一对导电层，其由硅层分隔开，或者所述一对导电层中的一个或二个导电层与所述硅层形成合金。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述导电结构包括：
难熔金属层，其被布置为与该半导体接触；并且
其中，由所述硅层分隔开的所述一对导电层中的一个导电层是所述难熔金属层或硅与所述难熔金属层的合金。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，包括被布置于所述一对导电层中的第二个导电层之上的第二硅层，并且包括在所述第二硅层上的第三导电层。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，第一金属层是钛，且第三金属层是铂。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述半导体是III-V族材料。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述半导体包括GaN。
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