[发明专利]布线构造以及显示装置无效
申请号: | 201280020062.8 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN103503117A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 三木绫;钉宫敏洋 | 申请(专利权)人: | 株式会社神户制钢所 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;G09F9/30;H01L21/3205;H01L23/52;H01L29/786 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 布线 构造 以及 显示装置 | ||
1.一种布线构造,在基板之上从基板侧起依次具备薄膜晶体管的半导体层、用于电极的Cu合金膜和保护膜,
所述半导体层由氧化物半导体构成,
所述Cu合金膜具有从基板侧起依次包括第一层(X)和第二层(Z)的层叠构造,
所述第一层(X)由纯Cu或者以Cu作为主成分的电阻率低于所述第二层(Z)的Cu合金构成,
所述第二层(Z)由Cu-Z合金构成,该Cu-Z合金包含合计为2~20原子%的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb、稀土类元素、Ge以及Mn构成的组群之中选择的至少一种元素Z,
所述第二层(Z)的至少一部分与所述保护膜直接连接。
2.根据权利要求1所述的布线构造,其中,
所述第二层(Z)的膜厚为5nm以上且100nm以下,且为相对于Cu合金膜整个膜厚的60%以下。
3.根据权利要求1所述的布线构造,其中,
所述保护膜包含氧化硅以及氮氧化硅之中的至少一者。
4.根据权利要求2所述的布线构造,其中,
所述保护膜包含氧化硅以及氮氧化硅之中至少一者。
5.一种显示装置,具备权利要求1所述的布线构造。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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