[发明专利]布线缺陷检查方法、布线缺陷检查装置以及半导体基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种适用于形成在液晶面板、太阳能电池面板等半导体基板上的布线的缺陷检测的布线缺陷检查方法、缺陷检查装置以及半导体基板的制造方法。

背景技术

作为半导体基板的一个例子，例如液晶面板的制造工艺大致分为阵列（TFT）工序，成盒（液晶）工序、以及模组工序。其中，在阵列工序中，当在透明基板上形成了栅极电极、半导体膜、源漏电极、保护膜、以及透明电极后，进行阵列检查，以检查电极或者布线等是否有布线短路。

通常，在阵列检查中，使探头接触布线的端部，来对布线两端的电阻或相邻布线之间的电阻以及电容进行测定，由此来确定上述缺陷。然而，在阵列检查中，即使能检测出布线部是否有缺陷，也难以确定该缺陷的位置。

例如，为了改善上述问题，作为确定缺陷位置的方法，有红外线检查的方法，该红外线检查对泄漏缺陷基板施加电压使其发热，并利用红外线摄像机拍摄泄漏缺陷基板的表面温度，由此来确定缺陷位置。

专利文献1涉及通过红外线图像来检测基板短路缺陷的红外线检查，利用基板在施加电压前后的红外线图像的差图像，由此检测出发热的布线，从而确定缺陷位置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本公开专利公报“特开平6-207914号公报（公开日：平成6年7月26日）”

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，专利文献1中进行了以下的描述。使用专利文献1的技术时，如果泄漏缺陷基板上的施加电压较小，则只有引出部无法检测到。另一方面，若升高电压值以使布线也能检测到，则电压会过高，从而有可能导致短路的像素烧断、或者正常的薄膜晶体管受损。因此，记载了电压要逐步增大，但为了逐步增大电压，会耗费较长的处理时间。由此，每个泄漏缺陷基板的检查时间当然变长，从而无法提高每单位时间的检查处理能力。

此外，在施加电压逐渐上升的情况下，从开始施加电压到结束施加电压为止的时间会变长。也就是说，发热部发热的发热时间变长。该热量会从发热部热传导到周边部。其结果是，本来没有发热的周边部的温度也上升。在该状况下，若进行红外线图像拍摄，则会将本来没有发热的部分误检测为发热的部位。因此，难以高精度地检测到发热的路径，发热部的轮廓变得不鲜明，变得难以根据发热部来识别布线。

而且，在该技术中，难以稳定地检测出泄漏缺陷部位。这是由于泄漏缺陷部位的种类、短路部位（泄漏缺陷基板上的位置）、或者短路部位自身的电阻值等不同，上升温度（发热量）会产生偏差。若泄漏缺陷基板的种类不同，则布线的电阻率、线宽或者膜厚不同，因此上升温度（发热量）会产生偏差。此外，基板上的布线并不都是相同的布线，不同位置上的布线的线宽以及膜厚不同，因此，不同的短路部位（基板上的位置）也会使上升温度（发热量）产生偏差。短路是因基板制造过程中所混入的导电性异物、布线层成膜工序中的膜残留、或者静电破坏等各种原因所产生，因此，每次发生短路时短路部位自身的电阻值大不相同，从而上升温度（发热量）会产生偏差。

因此，即使对任一个泄漏缺陷基板都施加相同电压值的电压，也会由于上述理由而导致上升温度（发热量）产生偏差，因此难以稳定地检测出发热的泄漏缺陷部位。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能稳定地确定泄漏缺陷部位的方法、装置以及半导体基板的制造方法，通过对泄漏缺陷基板上的短路路径施加基于预先由电阻检查所测定到的电阻值而确定的电压，由此使泄漏缺陷基板上的短路路径的发热量固定，而与泄漏缺陷基板的种类、短路部位（泄漏缺陷基板上的位置）、或者短路部位自身的电阻值等无关，从而能在红外线检查中稳定地确定泄漏缺陷部位。

解决技术问题所采用的技术方案

为了解决上述问题，本发明所涉及的布线缺陷检查方法的特征在于，包括：

电阻值测定工序，该电阻值测定工序通过对设置在半导体基板上的布线的电阻值进行测定，来判定是否存在布线短路部；

发热工序，该发热工序对于在上述电阻值测定工序中被判定为具有上述布线短路部的半导体基板的包含该布线短路部的短路路径，施加基于由上述电阻值测定工序所测定到的电阻值而确定的电压，从而使该短路路径发热；以及

位置确定工序，该位置确定工序利用红外线摄像机拍摄上述发热工序中发热的短路路径，并基于该拍摄的信息来确定上述布线短路部的位置。