[发明专利]机械层及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201280020381.9 申请日: 2012-04-19
公开(公告)号: CN103502873A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 陶诣;李镐瑨;钟帆 申请(专利权)人: 高通MEMS科技公司
主分类号: G02B26/00 分类号: G02B26/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 孙宝成
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 机械 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种设备,其包括:

衬底;及

多个像素,其以阵列配置于所述衬底上,每一像素包含

黑色掩模,其沿着每一像素的一侧的至少一部分而安置于所述衬底上,

光学堆叠,其安置于所述衬底上方及所述黑色掩模的至少一部分上方,

机械层,其安置于所述光学堆叠上方,所述机械层包含反射层、帽盖层及电介质层,所述电介质层安置于所述反射层与所述帽盖层之间,

腔,其介于所述机械层与所述光学堆叠之间,所述机械层可透过所述腔而在致动位置与松弛位置之间移动,

其中所述机械层包含所述电介质层中沿着每一像素的所述侧的凹口,所述凹口减少所述电介质层与所述黑色掩模沿着所述像素的所述侧的重叠。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述反射层及所述帽盖层延伸超过所述电介质层的一部分,且在所述凹口的至少一部分中彼此电接触。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述机械层中的所述凹口沿着每一像素的所述侧而延伸穿过所述反射层、所述电介质层及所述帽盖层的每一者。

4.根据权利要求1所述的设备,其中所述反射层及所述帽盖层各自包含铝-铜(AlCu)。

5.根据权利要求4所述的设备,其中所述电介质层包含氮氧化硅(SiON)。

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述凹口具有沿着所述像素的所述侧延伸的约2μm与约30μm之间的长度尺寸。

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述凹口具有从所述机械层的边缘延伸到所述机械层中的约0.5μm与约5μm之间的宽度尺寸。

8.根据权利要求1所述的设备,其中每一像素包含多个侧,且所述黑色掩模沿着每一侧的至少一部分安置,且其中所述机械层包含所述电介质层中沿着所述多个像素的每一者的每一侧的凹口。

9.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括定位于所述衬底与所述腔之间的固定电极。

10.根据权利要求9所述的设备,其进一步包括:

显示器;

处理器,其经配置以与所述显示器通信,所述处理器经配置以处理图像数据;及

存储器装置,其经配置以与所述处理器通信。

11.根据权利要求10所述的设备,其进一步包括驱动器电路,所述驱动器电路经配置以将至少一信号发送到所述显示器。

12.根据权利要求11所述的设备,其进一步包括控制器,所述控制器经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路。

13.根据权利要求12所述的设备,其进一步包括图像源模块,所述图像源模块经配置以将所述图像数据发送到所述处理器。

14.一种形成具有多个像素的机电装置的方法,所述方法包括:

于衬底上沉积黑色掩模,所述黑色掩模沿着每一像素的一侧的至少一部分而安置;

于所述衬底上方及所述黑色掩模的至少一部分上方沉积光学堆叠;

在所述光学堆叠上方形成机械层,其中形成所述机械层包含提供反射层、所述反射层上方的电介质层及支撑层上方的帽盖层;

在所述机械层与所述光学堆叠之间形成腔,所述机械层可透过所述腔而在致动位置与松弛位置之间移动,及

沿着每一像素的所述侧而在所述机械层的所述电介质层中形成凹口,所述凹口减少所述电介质层与所述黑色掩模沿着所述像素的所述侧的重叠。

15.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括在形成所述机械层之前沉积牺牲层,且在沉积所述机械层之后移除所述牺牲层,以形成所述像素的所述腔,其中所述牺牲层具有经选择以界定所述腔的高度的厚度。

16.根据权利要求15所述的方法,其进一步包括在所述牺牲层中形成孔,且在沉积所述机械层之前于所述孔中沉积支撑柱。

17.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括沿着每一像素的所述侧而在所述机械层的所述帽盖层及反射层中形成凹口。

18.根据权利要求14所述的方法,其中所述反射层及所述帽盖层经形成以延伸超过所述电介质层的一部分,且在所述凹口的至少一部分中彼此电接触。

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