[发明专利]充电构件、处理盒、电子照相设备和充电构件的生产方法有效
申请号: | 201280020421.X | 申请日: | 2012-04-16 |
公开(公告)号: | CN103502894A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 铃村典子;黑田纪明;儿玉真隆;友水雄也;益启贵 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G15/02 | 分类号: | G03G15/02;C08G77/14;C08G79/00 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 充电 构件 处理 电子 照相 设备 生产 方法 | ||
1.一种电子照相设备用充电构件,其包括:导电性支承体;导电性弹性层;和表面层,
其中:
所述表面层包括在其分子结构中具有Si-O-Ti键的高分子化合物;并且
所述高分子化合物具有由下式(1)、(2)和(3)表示的构成单元:
式(1)
式(2)
TiO4/2
式(3)
在式(1)和(3)中,R1-1、R2-1、R1-2和R2-2各自独立地表示由下式(4)至(7)表示的结构的任一种,并且
在式(3)中,Rα表示由下式(8)至(12)表示的结构的任一种:
通式(4)
式(5)
式(6)
式(7)
在式(4)至(7)中:
R3至R7、R10至R14、R19、R20、R25和R26各自独立地表示氢原子、具有1个以上且4个以下碳原子的烷基、羟基、羧基或氨基;
R8、R9、R15至R18、R23、R24和R29至R32各自独立地表示氢原子或具有1个以上且4个以下碳原子的烷基,并且R21、R22、R27和R28各自独立地表示氢原子、具有1个以上且4个以下碳原子的烷氧基或具有1个以上且4个以下碳原子的烷基;
n1、m1、q1、s1、t1和u1各自独立地表示1以上且8以下的整数,并且p1和r1各自独立地表示4以上且12以下的整数;
x1和y1各自独立地表示0或1;
符号“*”表示键合到式(1)中的硅原子的部位、键合到式(3)中的硅原子的部位,或者键合到作为式(3)中Rα的由下式(8)至(12)表示的结构的任一种的部位;并且
符号“**”表示键合到式(1)和式(3)各个中的氧原子的部位:
式(8)
式(9)
式(10)
式(11)
式(12)
在式(8)至(12)中:
R33至R37各自独立地表示具有1个以上且6个以下碳原子的亚烷基或用醚基部分取代的烃基;
a至e各自独立地表示1以上且1,350以下的整数;并且
符号“*”表示键合到作为式(3)中R2-2的由式(4)至(7)表示的结构的任一种中的符号“*”的部位。
2.根据权利要求1所述的充电构件,其中式(1)和(3)中的R1-1、R2-1、R1-2和R2-2各自独立地表示由下式(13)至(16)表示的结构的任一种:
式(13)
式(14)
式(15)
式(16)
在式(13)至(16)中:
n2、m2、q2、s2、t2和u2各自独立地表示1以上且8以下的整数;
x2和y2各自独立地表示0或1;并且
符号“*”和“**”各自的定义与在各式(4)至(7)中的定义相同。
3.根据权利要求1或2所述的充电构件,其具有在所述高分子化合物中的钛原子数与硅原子数的比(Ti/Si)为0.1以上且12.5以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社,未经佳能株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280020421.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。