[发明专利]充电构件、处理盒和电子照相设备

权利要求书

1.一种充电构件，所述充电构件包括基体、弹性层和表面层；其中

所述表面层包含具有Si-O-Nb键的高分子化合物；

所述高分子化合物具有由下式(1)表示的构成单元和由下式(2)表示的构成单元：

式(1)

式(2)

NbO_5/2

其中，式(1)中，R₁和R₂各自独立地表示由下式(3)至(6)表示的结构的任一种：

式(3)

式(4)

式(5)

式(6)

其中，式(3)至(6)中，R₃至R₇、R₁₀至R₁₄、R₁₉、R₂₀、R₂₅和R₂₆各自独立地表示氢原子、具有1至4个碳原子的烷基、羟基、羧基或氨基；R₈、R₉、R₁₅至R₁₈、R₂₃、R₂₄和R₂₉至R₃₂各自独立地表示氢原子或具有1至4个碳原子的烷基；R₂₁、R₂₂、R₂₇和R₂₈各自独立地表示氢原子、具有1至4个碳原子的烷氧基或具有1至4个碳原子的烷基；n、m、l、q、s和t各自独立地表示1至8的整数，p和r各自独立地表示4至12的整数，x和y各自独立地表示0或1；以及星号*和双星号**各自表示分别与式(1)中的硅原子和氧原子键合的位置。

2.根据权利要求1所述的充电构件，其中，所述高分子化合物中，式(1)中的R₁和R₂各自独立地为由下式(7)至(10)表示的结构的任一种：

式(7)

式(8)

式(9)

式(10)

其中，式(7)至(10)中，N、M、L、Q、S和T各自独立地表示1以上且8以下的整数，x’和y’各自独立地表示0或1；以及星号*和双星号**各自表示分别与式(1)中的硅原子和氧原子键合的位置。

3.根据权利要求1或2所述的充电构件，其中，所述高分子化合物中，铌原子数与硅原子数之比Nb/Si为0.1以上且12.5以下。