[发明专利]电子元器件模块的制造方法及电子元器件模块有效
申请号: | 201280020504.9 | 申请日: | 2012-04-05 |
公开(公告)号: | CN103493191B | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 清野绅弥;佐竹祥明 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元器件 模块 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及将电子元器件的多个外部端子分别与设置在基板的一个面上的多个凸点接合的电子元器件模块的制造方法以及由该制造方法所制造出的电子元器件模块。
背景技术
专利文献1中公开了一种将半导体装置经由凸点与基板接合的凸点的形成方法。图1是表示现有的电子元器件模块的制造方法的示意剖视图。如图1(a)所示,专利文献1中,由喷墨头3在基板9的表面电极10上排出金属糊料4,并使其干燥,从而形成凸点6。
接下来,如图1(b)所示,将裸片IC(带外部端子的电子元器件)1的外部端子2进行对位以与基板9的凸点6分别相对。然后,如图1(c)所示,将裸片IC1装载在基板9上并进行加压、加热,使凸点6变形来与外部端子2接合,从而将裸片IC1安装在基板9上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2004―228375号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在上述的现有的制造方法中,例如,在将凸点6的厚度形成得较厚的情况下,存在发生了变形的凸点6绕到裸片IC1的侧面、导致基板9的表面电极10与裸片IC1的内部布线发生导通的可能性。因此,由上述现有的制造方法所制造出的电子元器件模块存在裸片IC1的特性变差的可能性。
图2是表示由现有的制造方法所制造出的电子元器件模块的结构的剖视图。在凸点6的厚度形成得较厚的情况下,裸片IC1的外部端子2与基板9的表面电极10的接合部7绕到裸片IC1的侧面,接合部7与裸片IC1的侧面相接触。在利用切割机切割裸片IC1时会产生碎屑,在此情况下,内部布线常常会在裸片IC1的侧面露出。在此情况下,在接合部7与裸片IC1的侧面发生接触时,基板9的表面电极10与裸片IC1的内部布线导通,导致裸片IC的特性变差。
本发明是鉴于上述的技术问题而完成的,其目的在于提供一种电子元器件的多个外部端子与基板的表面电极的接合部不会与电子元器件的侧面发生接触的电子元器件模块的制造方法以及由该制造方法所制造出的电子元器件模块。
解决技术问题所采用的技术方案
为了达到上述目的,本发明所涉及的电子元器件模块的制造方法是将电子元器件的多个外部端子分别与设置在基板的一个面上的多个凸点相接合的电子元器件模块的制造方法,该电子元器件模块的制造方法的特征在于,包含:多个所述凸点由厚度较厚的部分即厚壁部和厚度较薄的部分即薄壁部所构成,在俯视所述电子元器件时,所述厚壁部位于相应的各个所述外部端子的所述电子元器件的中央侧,所述薄壁部位于相应的各个所述外部端子的与所述电子元器件的中央侧相反的一侧,以此方式在所述基板的一个面上分别形成所述厚壁部和所述薄壁部的工序;以及对于使所形成的多个所述凸点发生变形后与多个所述外部端子接合而成的多个接合部,相比俯视所述电子元器件时的所述电子元器件的中央侧的高度,使与所述电子元器件的中央侧相反的一侧的高度形成得较低的工序。
在上述结构中,多个凸点由厚度较厚的部分即厚壁部和厚度较薄的部分即薄壁部所构成。而且,在俯视电子元器件时,厚壁部位于相应的各个外部端子的电子元器件的中央侧,薄壁部位于相应的各个外部端子的与电子元器件的中央侧相反的一侧,以此方式在基板的一个面上分别形成厚壁部和薄壁部。使所形成的多个凸点发生变形后与多个外部端子接合而成的多个接合部形成为,与俯视电子元器件时的电子元器件的中央侧的高度相比,与电子元器件的中央侧相反的一侧的高度较低,因此,接合部不会与电子元器件的侧面发生接触,即使内部布线因切割机的切割而在电子元器件的侧面露出的情况下,电子元器件的特性也不会变差。
此外,本发明所涉及的电子元器件模块的制造方法优选为多个所述凸点形成为台阶状。
在上述结构中,由于多个凸点形成为台阶状,因此,接合部可以形成为,与俯视电子元器件时的电子元器件的中央侧的高度相比,与电子元器件的中央侧相反的一侧的高度较低,接合部不会与电子元器件的侧面相接触,即使内部布线因切割机的切割而在电子元器件的侧面露出的情况下,电子元器件的特性也不会变差。
此外,本发明所涉及的电子元器件模块的制造方法优选为多个所述凸点是通过喷墨法形成的。
在上述结构中,多个凸点由喷墨法形成,因此,通过调节金属糊料的排出次数,能容易地形成不同厚度的薄壁部和厚壁部。而且,从薄壁部到厚壁部能一下子形成,能降低制造成本。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造