[发明专利]尖晶石粉末及其制备方法以及喷镀膜及气体传感器元件的制备方法

权利要求书

1.尖晶石粉末，其特征在于，由粒状尖晶石粒子覆盖。

2.权利要求1的尖晶石粉末，其中，粒状尖晶石粒子的大小为0.1~4μm。

3.权利要求1或2的尖晶石粉末，其中，平均粒径D50为10~70μm，并且比表面积为0.2~2m²/g。

4.权利要求1~3中任一项的尖晶石粉末，其中，氧化铝含量为69~82%，并且氧化镁含量为18~31%。

5.权利要求1~4中任一项的尖晶石粉末，其中，尖晶石粉末的X射线衍射的强度比：

I[αAl₂O₃(113)]/{I[αAl₂O₃(113)]+I[MgAl₂O₄(311)]}为0.03以下，

I[MgO(200)]/{I[MgO(200)]+I[MgAl₂O₄(311)]}为0.03以下。

6.尖晶石粉末的制备方法，其特征在于，在电熔氧化铝中混合氧化镁原料后进行煅烧。

7.权利要求6的尖晶石粉末的制备方法，其中，氧化铝含量为69~82%，并且氧化镁含量为18~31%。

8.权利要求6或7的尖晶石粉末的制备方法，其中，电熔氧化铝的平均粒径D50为7~70μm，并且氧化镁原料的平均粒径D50为1~10μm。

9.喷镀膜的制备方法，其特征在于，使用通过在电熔氧化铝中混合氧化镁原料后进行煅烧而生成的尖晶石粉末进行喷镀。

10.气体传感器元件的制备方法，其特征在于，使用通过在电熔氧化铝中混合氧化镁原料后进行煅烧而生成的尖晶石粉末，形成气体传感器元件的电极保护膜。