[发明专利]在氮化镓衬底的半极化（20-2-1）面上制造的III族氮化物光电子器件的高铟吸收和高极化率无效
| 申请号： | 201280020669.6 | 申请日： | 2012-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103931003A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 赵宇吉;S·田中;黄嘉彦;D·F·费泽尔;J·S·司倍克;S·P·登巴尔斯;S·纳卡姆拉 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 衬底 极化 20 面上 制造 iii 氮化物 光电子 器件 吸收 | ||
1.一种光电子器件，其包括：
基于III族氮化物的发光器件，其生长在氮化镓即GaN衬底的半极化（20-2-1）面上。
2.根据权利要求1所述的器件，其中所述氮化镓衬底的所述半极化（20-2-1）面从非极化（10-10）面朝向[000-1]方向倾斜约15°角。
3.根据权利要求1所述的器件，其中所述氮化镓衬底的所述半极化（20-2-1）面从半极化（20-21）面朝向[000-1]方向倾斜约30°角。
4.根据权利要求1所述的器件，其中所述基于III族氮化物的发光器件与生长在极化、非极化或其他半极化面上的基于III族氮化物的发光器件相比具有更高的铟吸收。
5.根据权利要求1所述的器件，其中所述基于III族氮化物的发光器件与生长在极化或其他半极化面上的基于III族氮化物的发光器件相比具有更高的极化率。
6.根据权利要求1所述的器件，其中所述基于III族氮化物的发光器件与生长在非极化面上的基于III族氮化物的发光器件相比具有相似的极化率。
7.一种制造光电子器件的方法，其包括：
在氮化镓即GaN衬底的半极化（20-2-1）面上生长基于III族氮化物的发光器件。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述氮化镓衬底的所述半极化（20-2-1）面从非极化（10-10）面朝向[000-1]方向倾斜约15°角。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述氮化镓衬底的所述半极化（20-2-1）面从半极化（20-21）面朝向[000-1]方向倾斜约30°角。
10.根据权利要求7所述的方法，其中所述基于III族氮化物的发光器件与生长在极化、非极化或其他半极化面上的基于III族氮化物的发光器件相比具有更高的铟吸收。
11.根据权利要求7所述的方法，其中所述基于III族氮化物的发光器件与生长在极化或其他半极化面上的基于III族氮化物的发光器件具有更高的极化率。
12.根据权利要求7所述的方法，其中所述基于III族氮化物的发光器件与生长在非极化面上的基于III族氮化物的发光器件相比具有相似的极化率。
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