[发明专利]具有分布式人字形图案和相对于外部的内外TCP线圈的相关定位的内部法拉第屏蔽件

权利要求书

1.一种等离子体处理腔室，其包括：

静电卡盘，其用于接纳衬底；

介电窗，其与所述腔室的顶部连接，所述介电窗布置在所述静电卡盘的上方；

法拉第屏蔽件，其布置在所述腔室的内部并且限定在所述静电卡盘和所述介电窗之间，所述法拉第屏蔽件包括，

(a)具有内径范围的内区；

(b)具有中径范围的中区；

(c)具有外径范围的外区，所述内区与所述中区相邻，并且所述中区与所述外区相邻；

(d)第一组径向槽(A)，其延伸贯通所述内区、所述中区和所述外区；

(e)第二组径向槽(C)，其仅延伸贯通所述外区；以及

(f)第三组径向槽(B)，其延伸贯通所述中区和外区；

其中所述第一、第二和第三径向槽以槽A、C、B和C的重复模式围绕所述法拉第屏蔽件沿径向布置。

2.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中，变压器耦合等离子体(TCP)线圈布置在所述介电窗的上方，所述TCP线圈包括内线圈和外线圈，所述外线圈布置在所述介电窗的上方以使所述外线圈基本上位于所述法拉第屏蔽件的所述外区的上方并且所述内线圈基本上位于所述法拉第屏蔽件的所述中区的上方。

3.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中，所述内线圈和外线圈与调谐电路连接，所述调谐电路被配置为调节通过所述法拉第屏蔽件的所述外区和中区中的任一个或两个传递的磁通。

4.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中，所述法拉第屏蔽件电接地。

5.如权利要求4所述的等离子体处理腔室，其中，所述槽A、B和C中的每一个均由人字形凹槽限定。

6.如权利要求5所述的等离子体处理腔室，其中，所述人字形凹槽不包含所述法拉第屏蔽件的各侧之间的视线。

7.一种安装在腔室内的法拉第屏蔽件，其包括：

圆形板结构，其具有中央孔，所述圆形板结构包括，

(a)具有内径范围的内区；

(b)具有中径范围的中区；

(c)具有外径范围的外区，所述内区与所述中区相邻，并且所述中区与所述外区相邻；

(d)第一组径向槽(A)，其延伸贯通所述内区、所述中区和所述外区；

(e)第二组径向槽(C)，其仅延伸贯通所述外区；以及

(f)第三组径向槽(B)，其延伸贯通所述中区和外区，所述第一、第二和第三径向槽以槽A、C、B和C的重复模式围绕所述法拉第屏蔽件沿径向布置；

(g)所述槽A、B和C中的每一个由人字形凹槽限定。

8.如权利要求7所述的法拉第屏蔽件，其中所述人字形凹槽不包含所述法拉第屏蔽件的各侧之间的视线。

9.如权利要求7所述的法拉第屏蔽件，其中所述圆形板结构由不锈钢、哈斯特洛合金或钛限定。

10.如权利要求7所述的法拉第屏蔽件，其中所述圆形板结构能够由Y2O3、CeO2或TiN中的一种钝化或涂覆。

11.如权利要求7所述的法拉第屏蔽件，其中所述人字形凹槽的宽度能够在0.1mm和10mm之间且深度在0.1mm和5mm之间。