[发明专利]有机EL元件用的光取出透明基板及使用其的有机EL元件有效
申请号: | 201280020802.8 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN103518422A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 西村凉;郑旬纹;福田真林;柴沼俊彦 | 申请(专利权)人: | 吉坤日矿日石能源株式会社 |
主分类号: | H05B33/02 | 分类号: | H05B33/02;H01L51/50 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 元件 取出 透明 使用 | ||
1.一种有机EL元件用的光取出透明基板,其特征在于,
是具备配置于有机EL元件的光的出射面侧而使用的透明支撑基板的有机EL元件用的光取出透明基板,
在使用于有机EL元件的情况下,在所述透明支撑基板的应当成为有机EL元件的光的入射面的面的一侧,具备由在表面形成有第一凹凸的第一凹凸层所构成的衍射光栅,
在使用于有机EL元件的情况下,在所述透明支撑基板的应当成为有机EL元件的光的出射面的面的一侧,具备由在表面形成有第二凹凸的第二凹凸层所构成的微透镜,
所述第一及第二凹凸的形状分别为,在对由原子力显微镜解析该凹凸的形状而得到的凹凸解析图像施以2维高速傅立叶变换处理而得到傅立叶变换像的情况下,所述傅立叶变换像显示波数的绝对值为0μm-1的原点成为大致中心的圆状或圆环状的图案的形状。
2.如权利要求1所述的有机EL元件用的光取出透明基板,其特征在于,
所述第一凹凸的形状的所述傅立叶变换像的所述圆状或圆环状的图案,存在于波数的绝对值成为10μm-1以下的范围内的区域内,且,
关于所述第二凹凸的形状的所述傅立叶变换像的所述圆状或圆环状的图案,存在于波数的绝对值成为1μm-1以下的范围内的区域内。
3.如权利要求1或2所述的有机EL元件用的光取出透明基板,其特征在于,
所述第一凹凸的平均高度为30~100nm,且平均间隔为10~700nm,并且
所述第二凹凸的平均高度为400~1000nm,且平均间隔为2~10μm。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的有机EL元件用的光取出透明基板,其特征在于,
所述第一凹凸的深度分布的平均值及中央值满足下述不等式(1)所示的条件:
0.95×Y≦M≦1.05×Y (1)
其中,式(1)中,Y表示计算式:Y=1.07m-2.25所求得的值,且M表示凹凸的深度分布的中央值,式:Y=1.07m-2.25中,m为凹凸的深度分布的平均值,且表示20~100nm的数值。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的有机EL元件用的光取出透明基板,其特征在于,
所述第一凹凸的峰度为-1.2以上的值。
6.如权利要求1至5中的任一项所述的有机EL元件用的光取出透明基板,其特征在于,
所述第一凹凸的峰度为-1.2~1.2的范围内的值。
7.如权利要求1至6的任一项所述的有机EL元件用的光取出透明基板,其特征在于,
对于光取出透明基板,从所述第一凹凸层侧使光入射,从所述第二凹凸层侧使光出射,测定所述第二凹凸层的形成有凹凸的面上的任意测定点的发光光谱强度的情况下,满足下述不等式(2)所示的条件
Σ(y(θ)-y0(θ))2≦0.05 (2)
式中,θ表示使-80°至80°之间每变化5°时的33个测定角度,y(θ)表示将角度θ的发光光谱强度的测定值,以角度0°的发光光谱强度的测定值进行标准化后的值,y0(θ)表示根据朗伯法则将由放射图案所求得的角度θ的发光光谱强度的理论值,以由所述放射图案所求得的角度0°的发光光谱强度的理论值进行标准化后的值。
8.如权利要求1至7中的任一项所述的有机EL元件用的光取出透明基板,其特征在于,
所述第二凹凸层经由粘合剂层和/或接合剂层而层叠于所述透明支撑基板上。
9.如权利要求1至8中的任一项所述的有机EL元件用的光取出透明基板,其特征在于,
在所述第二凹凸层的形成有凹凸的形状的表面上层叠有保护层。
10.一种有机EL元件,其特征在于,
具备:
透明支撑基板;
配置于该透明支撑基板的一个面侧,且由在表面形成有第一凹凸的第一凹凸层所构成的衍射光栅;
配置于该透明支撑基板的另一个面侧,且由在表面形成有第二凹凸的第二凹凸层所构成的微透镜;以及
以维持形成于所述第一凹凸层的表面的第一凹凸的形状的方式,依次层叠于所述第一凹凸层上的透明电极、有机层及金属电极,且,
由所述透明支撑基板、所述衍射光栅与所述微透镜所形成的构成部分,由权利要求1至9中的任一项所述的有机EL元件用的光取出透明基板构成。
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