[发明专利]薄膜晶体管阵列装置以及使用其的EL显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及以多晶硅或微晶硅等作为活性层的薄膜晶体管阵列装置以及使用该薄膜晶体管阵列装置的EL显示装置。

背景技术

薄膜晶体管使用于有机EL显示器或液晶显示器等的显示装置的驱动基板，目前，正在盛行将其朝向高性能化开发。特别是，伴随着显示器的大型化和高清晰化，对薄膜晶体管的高电流驱动能力提出了要求，其中使用结晶化的半导体薄膜(多晶硅、微晶硅)作为活性层的薄膜晶体管受到瞩目。

作为半导体薄膜的结晶化工艺，正在开发采用600℃以下的処理温度的低温工艺，以取代已经成熟的采用1000℃以上的処理温度的高温工艺技術。由于低温工艺中不必使用耐热性优越的石英等的高价基板，从而可以实现降低制造成本。

作为低温工艺的一个环节，使用激光束加热的激光退火受到关注。激光退火是对成膜于玻璃等的低耐热性绝缘基板上的非晶硅或多晶硅等的非单晶性的半导体薄膜照射激光束使局部加热融化后，在其冷却过程中使半导体薄膜结晶化的技术。以该结晶化的半导体薄膜作为活性层(沟道领域)来集成形成薄膜晶体管。结晶化的半导体薄膜由于载流子的移动度高，因此可以使薄膜晶体管高性能化。

作为如上所述的薄膜晶体管的结构，以将栅电极配置在半导体层之下的底栅型的结构为主流，已知的如专利文献1、2所示的结构。

在专利文献1中，在基板上形成与晶体管连接的布线(电极)，以覆盖该布线(电极)的状态通过旋转涂敷法形成由感光性聚酰亚胺构成的平坦化绝缘膜(层间绝缘膜)。然后，通过光刻法在该平坦化绝缘膜(层间绝缘膜)形成连接孔(接触孔)。之后，在平坦化绝缘膜(层间绝缘膜)上形成通过该连接孔(接触孔)而与布线(电极)连接的有机EL元件。

另外，在专利文献2中，层叠在第2金属层(电极)上的绝缘保護膜及层叠在绝缘保護膜上的绝缘平坦化膜(层间绝缘膜)设置有孔状的接触孔，该接触孔使第2金属层(电极)与正电极(下部电极)电连接的连接触头贯穿于上下方向，并且接触孔是使绝缘保護膜的内周面与绝缘平坦化膜(层间绝缘膜)的内周面没有阶梯式高低差地连接形成的向下方凸出的锥子形状。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-28486号公报

专利文献2：日本特开2009-229941号公报

发明内容

本发明公开的EL显示装置设置有：在一对的电极之间配置有发光层的发光部；和控制发光部的发光的薄膜晶体管阵列装置。在发光部与薄膜晶体管阵列装置之间配置层间绝缘膜，并且发光部的一方的电极通过所述层间绝缘膜的接触孔而与薄膜晶体管阵列装置电连接。薄膜晶体管阵列装置具有由铜或铜合金构成的布线构件，布线构件设置有：由铜或铜合金构成的下层图案；和以覆盖该下层图案的上面及端面的方式形成并且由与下层图案不同种类的金属材料构成的上层图案。

(发明效果)

根据该结构，可以确保布线部分的低电阻性以及信赖性。

附图说明

图1是表示一实施方式中的有机EL显示装置的立体图。

图2是表示该图像显示装置的像素隔堤的例子的立体图。

图3是表示像素电路的电路结构的电气电路图。

图4是表示像素的结构的主视图。

图5是沿图4中的5-5线切断的剖视图。

图6是沿图4中的6-6线切断的剖视图。

图7是表示一实施方式中的栅极布线的一个示例的剖视图。

图8是用于说明一实施方式中的效果的剖视图。

符号说明：1薄膜晶体管阵列装置    2阳极    3EL层    4阴极    5像素    6像素电路    7栅极布线    8源极布线    9电源布线    10，11薄膜晶体管    21基板    22第1金属层    23栅极绝缘膜    24，25半导体膜    26第2金属层    27钝化膜    28导电氧化物膜    29第3金属层    30，32，33，35接触孔    31中继电极    34，34a，34b层间绝缘膜    41下层图案    42上层图案

具体实施方式

下面，结合图1～图8对一实施方式中的薄膜晶体管阵列装置以及使用该薄膜晶体管阵列装置的EL显示装置予以说明。

图1是表示EL显示装置的整体结构的立体图。图2是表示EL显示装置的像素隔堤的例子的立体图。图3是表示像素电路的电路结构的图。