[发明专利]用于高频应用的低温共烧陶瓷结构及其制造方法

权利要求书

1.多层低温共烧陶瓷结构，包括：

a)多层低温共烧陶瓷，其包括玻璃-陶瓷介电层，所述玻璃-陶瓷介电层具有在所述层的部分上的丝网印刷厚膜内导体，并具有在所述内导体之间并且从所述内导体到所述低温共烧陶瓷的上部外表面和下部外表面的丝网印刷厚膜通孔互连件，其中在焙烧之后已经抛光所述低温共烧陶瓷的上部外表面和下部外表面；以及

b)薄膜外导体，其沉积在所述低温共烧陶瓷的所述抛光的上部外表面和下部外表面上，其中将所述薄膜外导体图案化，使得所述薄膜外导体的至少一部分为线形式，并且其中所述线之间的间距小于50μm；

所述厚膜内导体和在所述内导体之间的所述厚膜通孔互连件、所述薄膜外导体、以及从所述内导体到所述上部外表面和下部外表面的所述厚膜通孔互连件均包含独立地选自金、银、铂、钯、它们的混合物及其合金的贵金属，并且其中从所述内导体到所述上部外表面和下部外表面的所述厚膜通孔互连件提供至所述薄膜外导体的电连接。

2.根据权利要求1所述的多层低温共烧陶瓷结构，其中所述线之间的所述间距小于10μm。

3.根据权利要求1所述的多层低温共烧陶瓷结构，其中所述厚膜内导体和在所述内导体之间的所述厚膜通孔互连件是银，其中所述薄膜外导体是金，并且其中从所述内导体到所述上部表面和下部表面的所述厚膜通孔互连件是银和金的混合物。

4.根据权利要求1所述的多层低温共烧陶瓷结构，其中所述厚膜内导体和在所述内导体之间的所述厚膜通孔互连件、所述薄膜外导体、以及从所述内导体到所述上部表面和下部表面的所述厚膜通孔互连件均是金。

5.多层低温共烧陶瓷结构，包括：

a)多层低温共烧陶瓷，其包括玻璃-陶瓷介电层，所述玻璃-陶瓷介电层具有在所述层的部分上的丝网印刷厚膜内导体，并具有在所述内导体之间并且从所述内导体到所述低温共烧陶瓷的一个外表面的丝网印刷厚膜通孔互连件，其中在焙烧之后已经抛光所述低温共烧陶瓷的所述一个外表面；以及

b)薄膜外导体，其沉积在所述低温共烧陶瓷的所述抛光的一个外表面上，其中将所述薄膜外导体图案化，使得所述薄膜外导体的至少一部分为线形式，并且其中所述线之间的间距小于50μm；

所述厚膜内导体和在所述内导体之间的所述厚膜通孔互连件、所述薄膜外导体、以及从所述内导体到所述一个外表面的所述厚膜通孔互连件均包含独立地选自金、银、铂、钯、它们的混合物及其合金的贵金属，并且其中从所述内导体到所述一个外表面的所述厚膜通孔互连件提供至所述薄膜外导体的电连接。

6.根据权利要求5所述的多层低温共烧陶瓷结构，其中所述线之间的所述间距小于10μm。

7.根据权利要求5所述的多层低温共烧陶瓷结构，其中所述厚膜内导体和在所述内导体之间的所述厚膜通孔互连件是银，其中所述薄膜外导体是金，并且其中从所述内导体到所述一个外表面的所述厚膜通孔互连件是银和金的混合物。

8.根据权利要求5所述的多层低温共烧陶瓷结构，其中所述厚膜内导体和在所述内导体之间的所述厚膜通孔互连件、所述薄膜外导体、以及从所述内导体到所述一个外表面的所述厚膜通孔互连件均是金。

9.用于制造多层低温共烧陶瓷结构的方法，所述方法包括：

a)提供包括玻璃-陶瓷介电层的多层低温共烧陶瓷，所述玻璃-陶瓷介电层具有在所述层的部分上的丝网印刷厚膜内导体，并具有在所述内导体之间并且从所述内导体到所述低温共烧陶瓷的上部外表面和下部外表面的丝网印刷厚膜通孔互连件；

b)抛光所述上部外表面和下部外表面；

c)在所述低温共烧陶瓷的所述抛光的上部外表面和下部外表面上真空沉积薄膜外导体；以及

d)将所述薄膜外导体图案化，使得所述薄膜外导体的至少一部分为线形式，其中所述线之间的间距小于50μm；

所述厚膜内导体和在所述内导体之间的所述厚膜通孔互连件、所述薄膜外导体、以及从所述内导体到所述上部外表面和下部外表面的所述厚膜通孔互连件均包含独立地选自金、银、铂、钯、它们的混合物及其合金的贵金属，并且其中从所述内导体到所述上部外表面和下部外表面的所述厚膜通孔互连件提供至所述薄膜外导体的电连接。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述线之间的所述间距小于10μm。