[发明专利]用于制造太阳能电池元件的方法

权利要求书

1.一种用于制造太阳能电池元件的方法，所述方法包括：

制备层压体1和腔室5的步骤（a），其中

所述层压体1包括p侧第III族-第V族化合物电极层2、p型第III族-第V族化合物半导体层31、n型第III族-第V族化合物半导体层32、和n侧第III族-第V族化合物电极层4，

所述n侧第III族-第V族化合物电极层4包括第一表面4a和第二表面4b，

所述p型第III族-第V族化合物半导体层31介于所述p侧第III族-第V族化合物电极层2与所述n型第III族-第V族化合物半导体层32之间，

所述n型第III族-第V族化合物半导体层32介于所述p型第III族-第V族化合物半导体层31与所述第一表面4a之间，

所述第二表面4b在所述层压体1的表面露出，并且

所述腔室5具有水溶液6和惰性气体7；

在步骤（a）之后，使所述层压体1与所述水溶液6接触使得所述第二表面4b浸入到所述水溶液6中的步骤（b）；

在步骤（b）之后，在所述惰性气体7的气氛下，在阳极71与所述层压体1之间施加电压差以在所述第二表面4b上形成Zn层81的步骤（c），其中

所述腔室5填充有所述惰性气体7，

所述水溶液6含有浓度不小于1mM且不大于5M的Zn²⁺离子，

所述水溶液6不含有氧，

所述阳极71与所述水溶液6接触，

所述层压体1用作阴极，

所述水溶液6具有不小于10摄氏度且不大于60摄氏度的温度，并且

所述Zn层81在其表面上具有凹凸结构；以及

在步骤（c）之后，使所述Zn层81暴露于氧以使所述Zn层81转化成ZnO结晶层82的步骤（d）。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

在步骤（d）中，使所述Zn层81暴露于空气。

3.根据权利要求1所述的方法，其中

在步骤（a）中，所述n侧第III族-第V族化合物电极层4包括GaAs层42，并且

使所述GaAs层42在所述第二表面4b上露出。