[发明专利]使用重复结构的基于设计的检验有效
申请号: | 201280021438.7 | 申请日: | 2012-03-19 |
公开(公告)号: | CN103503126A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 阿肖克·库尔卡尼;简-辉·亚当·陈 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 重复 结构 基于 设计 检验 | ||
相关申请案交叉参考
本申请案主张于2011年3月25日提出申请的标题为“使用重复结构的基于设计的检验(Design-based inspection using repeating structures)”的第61/467,964号美国临时申请案的优先权,所述申请案以引用方式如同其完全陈述于本文中一股并入。
技术领域
本发明一股来说涉及用于使用重复结构的基于设计的晶片检验的系统及方法。
背景技术
以下说明及实例并不由于其包含于此章节中而被认为是现有技术。
在半导体制造过程期间在各种步骤处使用检验过程以检测晶片上的缺陷从而在制造过程中促成较高成品率及因此较高利润。检验始终是制作半导体装置的重要部分。然而,随着半导体装置的尺寸减小,检验对可接受的半导体装置的成功制造来说变得越来越重要,因为较小缺陷可能致使装置失效。
检验过程可受晶片上的各种噪声源限制。举例来说,一种常见检验方法是裸片对裸片方法,所述裸片对裸片方法涉及将检验系统的针对形成于晶片上的不同裸片中的对应位置产生的输出进行比较。以此方式,可将针对多个裸片中的相似结构产生的输出进行比较且可使用比较的结果来检测那些结构中的缺陷。然而,由于跨越晶片的过程变化,不同裸片中的对应位置可具有不同特性,例如虽然实际上不是缺陷但在裸片对裸片方法中可被误识别为缺陷的膜厚度及色彩变化。可通过增加用于检测缺陷的阈值来适应裸片之间的变化。然而,增加阈值将明显消除对晶片上的最小缺陷的检测。
一些检验方法及/或系统通过将针对单个裸片内的多个位置产生的输出进行比较来检测缺陷。在当前检验系统中通常存在利用此概念的两种类型的方法。然而,其适用性有限。举例来说,对于阵列区域(例如裸片的SRAM或DRAM区域),通过知晓阵列内的单元大小,可在晶片检验器上执行单元对单元检验。还存在在检验期间分析图像流并通过执行自动相关分析且寻找周期性图案来寻找重复结构的一些现有系统。然而,这两种方法均受限于具有以某一周期的某一周期性(例如,沿x方向)的布局。
因此,开发不具有上文所描述的缺点中的一者或一者以上的检验系统及/或方法将是有利的。
发明内容
决不应将以下对各种实施例的说明解释为限制所附权利要求书的标的物。
一个实施例涉及一种用于检验晶片的计算机实施方法。所述方法包含识别晶片的设计中的结构的多个实例。所述结构具有相同或实质上相同的几何特性。使用设计的设计数据来执行识别多个实例。所述方法还包含将检验系统的针对形成于晶片上的多个实例中的两者或两者以上产生的输出彼此进行比较。所述多个实例中的所述两者或两者以上位于所述晶片上的相同裸片内。另外,所述方法包含基于所述比较的结果而检测所述晶片上的缺陷。使用计算机系统来执行所述识别、比较及检测步骤。
可如本文中所描述来进一步执行上文所描述的方法的步骤中的每一者。另外,可使用本文中所描述的系统中的任一者来执行所述方法的步骤中的每一者。此外,所述方法可包含本文中所描述的任何其它步骤。
另一实施例涉及一种存储可在计算机系统上执行以用于执行用于检验晶片的计算机实施方法的程序指令的非暂时计算机可读媒体。可通过所述程序指令执行的计算机实施方法包含上文所描述的计算机实施方法的步骤。可如本文中所描述来进一步配置所述计算机可读媒体。
额外实施例涉及一种经配置以检验晶片的系统。所述系统包含经配置以产生针对晶片的输出的检验子系统。所述系统还包含经配置以用于执行上文所描述的计算机实施方法的步骤的计算机子系统。可如本文中所描述来进一步配置所述系统。
附图说明
当阅读以下详细说明并参考随附图式时,本发明的其它目标及优点将变得显而易见。
图1是图解说明单元实例化分析的一个实施例的示意图;
图2是图解说明根据设计“层”意图本身不证自明的相似结构的一个实例的示意图;
图3是图解说明迭代算法可如何对重复几何形状进行排级及检测重复几何形状的一个实施例的示意图;
图4是图解说明非暂时计算机可读媒体的一个实施例的框图;且
图5是图解说明系统的一个实施例的框图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造