[发明专利]半导体器件及制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

（i）提供具有半导体层的半导体晶片；

（ii）在所述半导体层之上形成第一掩模层；

（iii）在所述第一掩模层之上形成第二掩模层；

（iv）对所述第二掩模层进行退火以形成岛；

（v）采用所述岛作为掩模蚀刻通过所述第一掩模层和所述半导体层以形成柱阵列；

（vi）在所述柱之间、然后在所述柱的顶部上生长半导体材料。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在生长所述半导体材料之前去除所述岛。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中由所述掩模层之一形成的盖子在所述半导体材料的生长过程中留在所述柱的每一个的顶部上。

4.根据前述权利要求中任何一项所述的方法，其中所述半导体层支撑在基板上。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述基板包括蓝宝石、硅和碳化硅的至少一个。

6.根据前述权利要求中任何一项所述的方法，其中所述半导体层由III族氮化物形成。

7.根据前述权利要求中任何一项所述的方法，其中所述第一掩模层由二氧化硅和氮化硅的至少一个形成。

8.根据前述权利要求中任何一项所述的方法，其中所述第二掩模层由金属形成。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二掩模层由镍形成。

10.根据前述权利要求中任何一项所述的方法，其中所述生长步骤在所述柱的底部周围留下间隙。

11.根据权利要求10所述的方法，其中相邻柱上生长的所述半导体材料在与所述基板分隔的位置处接触，从而该间隙留在该位置之下。

12.一种半导体器件，包括由半导体材料形成的柱阵列，其每一个柱包括由其顶部上形成的掩模材料形成的盖子以及在所述柱之间延伸且在所述柱的顶部之上以形成连续层的半导体材料。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，根据权利要求1至11所述的任何一种方法形成。

14.根据权利要求12或权利要求13所述的半导体器件，其中至少90%的所述柱的直径小于1000nm。

15.根据权利要求12至14中任何一项所述的半导体器件，其中所述柱的高度至少为500nm。

16.一种制造半导体器件的方法，如本文参考附图所基本描述的。

17.一种半导体器件，如本文参考附图所基本描述的。