[发明专利]Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种Cu-Ga合金溅射靶，其为包含29～42.6原子%Ga、其余为Cu和不可避免的杂质的、熔炼、铸造的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，溅射表面的平均晶粒直径为3mm以下，靶的断面组织具有从溅射表面起朝向与溅射面平行的中心面的方向生长的柱状组织。

2.如权利要求1所述的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，P、S、Fe、Ni、Ag各杂质的含量各自为小于10重量ppm。

3.如权利要求1或2所述的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，作为气体成分的C、O、N、H的含量合计为300重量ppm以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，靶的组织为γ相单相组织。

5.如权利要求1～4中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，具有从靶的两个宽面（一个面为溅射面）朝向与溅射表面平行的中心面沿垂直方向生长的柱状组织。

6.如权利要求1～5中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，其为通过连续铸造制造的靶。

7.一种Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，所述溅射靶包含29～42.6原子%Ga、其余为Cu和不可避免的杂质，该方法包括将靶原料在坩锅内熔融，将其熔融液注入具有水冷探针的铸模连续地制造包含Cu-Ga合金的铸造体，再对其进行机械加工而制造Cu-Ga合金靶，该方法的特征在于，将所述铸造体从熔点至400℃的凝固速度控制为380～1000℃/分钟，该铸造体的组织成为从铸模内壁向铸造体的内部方向生长的柱状组织。

8.如权利要求7所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，溅射表面的平均晶粒直径为3mm以下，靶的断面组织具有从溅射表面起朝向与溅射面平行的中心面生长的柱状组织。

9.如权利要求7所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，将从铸模中的拉出速度设定为30mm/分钟～150mm/分钟。

10.如权利要求7或8所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，使用连续铸造装置进行铸造。

11.如权利要求7～10中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，将铸造体从铸模中间歇地拉出。

12.如权利要求7～11中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，使P、S、Fe、Ni、Ag各杂质的含量各自为10重量ppm以下。

13.如权利要求7～12中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，使作为气体成分的C、O、N、H的含量合计为300重量ppm以下。

14.如权利要求7～13中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，使靶的组织为γ相单相组织。