[发明专利]聚酰亚胺膜和使用其的金属层压体有效

专利信息
申请号: 201280021972.8 申请日: 2012-03-28
公开(公告)号: CN103502006A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 河内山拓郎;升井英治;柳田圭一;上木户健 申请(专利权)人: 宇部兴产株式会社
主分类号: B32B27/34 分类号: B32B27/34;C08G73/10;C08J5/18;C08J7/04;H05K1/03
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 日本山口*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 聚酰亚胺 使用 金属 层压
【权利要求书】:

1.一种聚酰亚胺膜,包括:

聚酰亚胺层(b),以及

与所述聚酰亚胺层(b)层压接触的聚酰亚胺层(a),

其中

不与所述聚酰亚胺层(a)接触的所述聚酰亚胺层(b)的一面表现热熔结合性,

不与所述聚酰亚胺层(b)接触的所述聚酰亚胺层(a)的一面不表现热熔结合性,以及

所述聚酰亚胺层(a)含有由含有2,3,3',4'-联苯四羧酸二酐的四羧酸组分与二胺组分形成的聚酰亚胺。

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜,其中所述聚酰亚胺层(b)具有多层结构,所述多层结构具有可热熔结合的聚酰亚胺层和耐热聚酰亚胺层。

3.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺膜,其中所述聚酰亚胺层(b)具有在所述耐热聚酰亚胺层的两面上形成所述可热熔结合的聚酰亚胺层的三层结构。

4.根据权利要求1-3任一项所述的聚酰亚胺膜,其中所述四羧酸组分中2,3,3',4'-联苯四羧酸二酐的含量为25摩尔%或更多。

5.根据权利要求1-3任一项所述的聚酰亚胺膜,其中所述四羧酸组分中2,3,3',4'-联苯四羧酸二酐的含量为大于或等于50摩尔%且小于或等于100摩尔%。

6.根据权利要求2-5任一项所述的聚酰亚胺膜,其中所述聚酰亚胺层(b)的总厚度为15-50μm,所述耐热聚酰亚胺层的厚度为10-40μm,以及所述可热熔结合的聚酰亚胺层中单层的厚度为4-6μm。

7.根据权利要求2-6任一项所述的聚酰亚胺膜,其中所述耐热聚酰亚胺层是由酸组分和二胺组分形成的,所述酸组分包括3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐,所述二胺组分包括对苯二胺。

8.一种聚酰亚胺-金属层压体,其中权利要求1-7任一所述的具有聚酰亚胺层(b)的聚酰亚胺膜和金属层为层压的,并且其中不与所述聚酰亚胺层(a)接触的所述聚酰亚胺层(b)的表现可热熔结合的一面直接接触所述金属层。

9.一种用于制造聚酰亚胺膜的方法,包括:

使用用于制备两面表现热熔结合性的聚酰亚胺层(b)的聚酰胺酸(b)制备自支撑膜(b);

仅在所述自支撑膜(b)的一面应用聚酰胺酸(a)以形成涂膜,所述聚酰胺酸(a)由酸组分和二胺组分获得,所述酸组分包括2,3,3',4'-联苯四羧酸二酐;以及

加热所述涂膜以进行亚胺化反应。

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