[发明专利]In2O3－ZnO系溅射靶

权利要求书

1.一种溅射靶，其包含氧化物，所述氧化物含有铟元素（In）和锌元素（Zn）、以及选自下述X组的一种以上的元素X，并且各元素的原子比满足下述式（1）和（2）：

X组：Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm

0.30≤In/（In+Zn）≤0.90   （1）

0.70≤In/（In+X）≤0.99   （2）

式中，In、Zn和X分别表示溅射靶中的各元素的原子比。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，溅射靶中含有的由In₂O₃表示的方铁锰矿结构化合物的X射线衍射（XRD）中的最大峰值强度（I_（In2O3））、与包含所述元素X和氧的化合物的最大峰值强度（I_x）满足下述式（3）：

I_x/I_（In2O3）≤0.15   （3）。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，包含所述元素X和氧的化合物的平均晶体直径为10μm以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，在所述溅射靶中，除去烧成面后的靶表面部与利用平面磨床从该表面部研磨掉2mm后的部分的利用CIE1976空间测定的L*a*b*色差（ΔE*）为3.0以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的溅射靶，其中，电阻率为30mΩcm以下、相对密度为90%以上。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的溅射靶，其中，元素X为Zr。

7.权利要求1～6中任一项所述的溅射靶的制造方法，其包括：

将氧化铟粉和元素X的氧化物混合、粉碎的工序A、

在700～1200℃的温度下，将所述工序A中得到的混合粉热处理的工序B、和

在所述工序B中得到的热处理粉中加入氧化锌粉后进行混合粉碎的工序C。

8.一种氧化物薄膜，其使用权利要求1～6中任一项所述的溅射靶制作。

9.一种薄膜晶体管，其使用了权利要求8所述的氧化物薄膜。