[发明专利]编码器有效
申请号: | 201280022191.0 | 申请日: | 2012-08-10 |
公开(公告)号: | CN103518120A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 冈田泰行;阿部泰典 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | G01D5/245 | 分类号: | G01D5/245 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 编码器 | ||
1.一种编码器,包含磁介质和磁传感器而成,该磁传感器与该磁介质隔开空隙而对置,并且与上述磁介质相对移动,
上述磁介质在上述相对移动方向上以间距λm被充磁,
上述磁传感器具备多个电阻值根据所配置的场所的磁场而变化的磁阻效应元件,
以配置该磁阻效应元件的位置为基准位置,除了该基准位置的磁阻效应元件以外,作为高次谐波降低图案的磁阻效应元件分别被配置在如下位置:
从上述基准位置在俯视下向上述相对移动方向的至少一侧偏离λm/(2·P(n))的位置,其中,设P(n)为第n个素数,n为自然数,N是大于3的自然数且N≥n>1;
从自上述基准位置在俯视下向上述相对移动方向的至少上述一侧偏离λm/(2·P(L))的位置起、进一步偏离λm/(2·P(L+1))的位置,其中,设P(L)为第L个素数,L为自然数,N是大于3的自然数且1<L<N。
2.如权利要求1记载的编码器,
在如下位置配置有作为高次谐波降低图案的磁阻效应元件,该位置为:
从上述基准位置在俯视下向上述一侧偏离λm/(2·P(2))=λm/6的位置,和从上述基准位置在俯视下向上述一侧偏离λm/(2·P(3))=λm/10的位置;以及
从自上述基准位置在俯视下向上述相对移动方向的至少上述一侧偏离λm/(2·P(2))=λm/6的位置起、进一步偏离λm/(2·P(2+1))=λm/10的位置。
3.如权利要求1或2记载的编码器,
作为上述高次谐波降低图案的磁阻效应元件的一部分在与上述磁介质对置的面内配置于与上述基准位置的磁阻效应元件不同的层。
4.一种编码器,包含磁介质和磁传感器而成,该磁传感器与该磁介质隔开空隙而对置,并且与上述磁介质相对移动,
上述磁介质在上述相对移动方向上以间距λm被充磁,
上述磁传感器具备多个电阻值根据所配置的场所的磁场而变化的磁阻效应元件,
以配置该磁阻效应元件的位置为基准位置,除了该基准位置的磁阻效应元件之外,作为高次谐波降低图案的磁阻效应元件分别被配置在如下位置:
从上述基准位置在俯视下向上述相对移动方向的至少一侧偏离λm/(2·P(n))的位置,其中,设P(n)为第n个素数,n为自然数,N是大于2的自然数且N≥n>1;
从自上述基准位置在俯视下向上述相对移动方向的至少上述一侧偏离λm/(2·P(L))的位置起、进一步偏离λm/(2·P(L+1))的位置,其中,设P(L)为第L个素数,L为自然数,N是大于2的自然数且1<L<N,
并且,设定P(N+1)<x且x≠P(k)的x,其中,k是1<k的自然数,作为高次谐波降低图案的磁阻效应元件分别被配置在如下位置:
从上述基准位置在俯视下向上述相对移动方向的至少一侧偏离λm/(2x)的位置;以及
从自上述基准位置在俯视下向上述相对移动方向的至少上述一侧偏离λm/(2·P(L))的位置起、进一步偏离λm/(2x)的位置,其中1<L<N。
5.如权利要求4记载的编码器,
分别被配置在如下位置:
从上述基准位置在俯视下向上述一侧偏离λm/(2·P(2))=λm/6的位置、和从上述基准位置在俯视下向上述一侧偏离λm/(2·P(3))=λm/10的位置;
从自上述基准位置在俯视下向上述相对移动方向的至少上述一侧偏离λm/(2·P(2))=λm/6的位置起、进一步偏离λm/(2·P(2+1))=λm/10的位置;
并且,设定5<x且x≠P(k)的x的x,其中,k是1<k的自然数,
分别被配置在如下位置:
从上述基准位置在俯视下向上述相对移动方向的至少一侧偏离λm/(2x)的位置;
从自上述基准位置在俯视下向上述相对移动方向的至少上述一侧偏离λm/(2·P(2))=λm/6的位置起、进一步偏离λm/(2x)的位置;
从自上述基准位置在俯视下向上述相对移动方向的至少上述一侧偏离λm/(2·P(3))=λm/10的位置起、进一步偏离λm/(2x)的位置;
从自上述基准位置在俯视下向上述相对移动方向的至少上述一侧偏离λm/(2·P(2))=λm/6以及λm/(2·P(3))=λm/10的位置起、进一步偏离λm/(2x)的位置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社,未经日立金属株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280022191.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。