[发明专利]由冶金级硅或精炼冶金级硅制造基于硅的纳米颗粒的方法

权利要求书

1.通过基于硅的纳米粉末制造氢气的方法，特征在于其包括：

·提供由包含大于10重量ppm杂质含量的冶金级或高纯冶金级Si制成的基材，

·对所述基材(7)进行电化学蚀刻以形成基于硅的纳米粉末，其具有低于用电子级或太阳能级硅获得的硅纳米粉末释放氢气所必需的能量的氢气释放能，和

·通过基于硅的纳米粉末生产氢气。

2.权利要求1的方法，特征在于所述基材包含硼，所述硼的浓度大于或等于5重量ppm。

3.权利要求1的方法，特征在于所述基材包含硼，所述硼的浓度大于50重量ppm。

4.权利要求1的方法，特征在于所述杂质包含铝、铁、钙、磷和硼。

5.权利要求4的方法，特征在于铝、铁、钙、磷和硼杂质各自的浓度为1-10000重量ppm。

6.权利要求1的方法，特征在于所述基材包含：

·掺杂杂质，选自硼、磷和铝，

·选自铁、铜、钛、镍、铬和钨的金属杂质，

·结构缺陷，其密度大于10⁴缺陷/cm²。

7.权利要求1的方法，特征在于用于所述基材的电化学蚀刻的电流为脉冲电流。

8.权利要求1的方法，特征在于用于所述基材的电化学蚀刻的电流密度为1mA/cm²-1A/cm²。

9.权利要求1的方法，特征在于用于所述基材的电化学蚀刻的电流密度为1mA/cm²-500mA/cm²。

10.权利要求1的方法，特征在于用于所述基材的电化学蚀刻的电流密度为1mA/cm²-250mA/cm²。

11.权利要求1的方法，进一步包括所述基材的背侧掺杂步骤，所述背侧掺杂步骤包括如下子步骤：

·在所述基材(7)的背侧(72)上沉积铝以获得包含铝层(6)的基材，和

·对包含所述铝层(6)的所述基材(7)进行退火。

12.权利要求11的方法，特征在于所述铝层(6)的厚度为10nm-10μm。

13.权利要求11的方法，进一步包括在所述退火步骤后移除所述铝层(6)的步骤。

14.权利要求1的方法，进一步包括所述基材的前侧掺杂步骤，该步骤包括借助于产生光辐射的白光源照射所述基材(7)的前侧(71)。

15.权利要求6的方法，其中所述基材包含的结构缺陷选自位错和晶界。