[发明专利]In－Ga－Zn系氧化物溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种溅射靶，其含有下述氧化物A和InGaZnO₄，

氧化物A：在通过X射线衍射测定（Cukα射线）得到的谱图中，在下述A～K的区域中观测到衍射峰的氧化物，

A.2θ=7.0°～8.4°

B.2θ=30.6°～32.0°

C.2θ=33.8°～35.8°

D.2θ=53.5°～56.5°

E.2θ=56.5°～59.5°

F.2θ=14.8°～16.2°

G.2θ=22.3°～24.3°

H.2θ=32.2°～34.2°

I.2θ=43.1°～46.1°

J.2θ=46.2°～49.2°

K.2θ=62.7°～66.7°。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，利用由ZnGa₂O₄表示的尖晶石结构的X射线衍射测定（Cukα射线）得到的峰为最大峰的3%以下。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，铟元素（In）、镓元素（Ga）和锌元素（Zn）的原子比满足下述式（1）和（2）：

0.25≤Zn/（In+Ga+Zn）≤0.55 （1）

0.15≤Ga/（In+Ga+Zn）＜0.33 （2）。

4.根据权利要求3所述的溅射靶，其中，铟元素（In）和锌元素（Zn）的原子比满足下述式（3）：

0.51≤In/（In+Zn）≤0.68 （3）。

5.根据权利要求3所述的溅射靶，其中，铟元素（In）和镓元素（Ga）的原子比满足下述式（4）：

In/（In+Ga）≤0.58 （4）。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的溅射靶，其通过将铟化合物与镓化合物的原料粉混合并在500℃以上且1200℃以下烧成后，混合锌化合物的原料粉并在1100℃以上且1600℃以下烧成来制造。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的溅射靶，其中，电阻为10mΩcm以下、相对密度为95%以上。

8.使用权利要求1～7中任一项所述的溅射靶制作的氧化物薄膜。