[发明专利]有机半导体

权利要求书

1.一种有机半导体，其特征在于，是由下式（1）所示结构的重复单元构成的有机半导体，其电离电位大于5.0eV，

式（1）中，Ar及Ar’彼此相同或不同，独立地为具有共轭结构的环状化合物，另外，R及R’彼此相同或不同，独立地为直链烷基、支链烷基、直链烷氧基、支链烷氧基、氢或卤素中的任一者，另外，R”是直链烷基、支链烷基、直链烷氧基、支链烷氧基、氢或卤素中的任一者，另外，x、y和z是0.5的倍数，x≤z、y≤z，此外n是1～1000的常数。

2.根据权利要求1所述的有机半导体，上式（1）中，Ar及Ar’是具有取代基的亚芳基或杂亚芳基。

3.根据权利要求1所述的有机半导体，上式（1）中，R及R’是直链烷基、支链烷基、氢或卤素中的任一者。

4.根据权利要求1所述的有机半导体，上式（1）中，R”是直链烷氧基、支链烷氧基或卤素中的任一者。

5.根据权利要求1所述的有机半导体，上式（1）中，n是5～1000。

6.根据权利要求1至5的任一项所述的有机半导体，用空间电荷限制电流法即SCLC法测得的所述有机半导体的空穴迁移率为3.0×10^-5cm²/Vs以上。

7.根据权利要求1至6的任一项所述的有机半导体，所述有机半导体对1mL氯苯的溶解度为25mg以上。