[发明专利]新的化合物半导体及其用途有效

申请号：	201280022498.0	申请日：	2012-05-11
公开（公告）号：	CN103517870A	公开（公告）日：	2014-01-15
发明（设计）人：	朴哲凞;金兑训	申请（专利权）人：	LG化学株式会社
主分类号：	C01B19/00	分类号：	C01B19/00;C01G15/00;C01G51/00;C01G30/00;H01L31/032
代理公司：	北京鸿元知识产权代理有限公司 11327	代理人：	黄丽娟;陈英俊
地址：	韩国***	国省代码：	韩国;KR
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摘要：
搜索关键词：	化合物半导体及其用途
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【权利要求书】：

1.一种化合物半导体，由以下化学式1表示：

化学式1

In_xM_yCo_4-m-aA_mSb_12-n-zX_nTe_z

其中，在化学式1中，M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；0<x<1；0<y<1；0≤m≤1；0≤n<9；0<z≤2；0<a≤1。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中，在化学式1中，0<x≤0.25。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中，在化学式1中，0≤m≤0.5。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中，在化学式1中，0<a≤0.5。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中，在化学式1中，0<x+y≤1。

6.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中，在化学式1中，0<n+z<9。

7.一种化合物半导体的制备方法，包括：

形成含有In、Co、Sb和Te以及选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及其氧化物中的至少一种的混合物；和

热处理所述混合物，从而制备权利要求1所限定的化合物半导体。

8.根据权利要求7所述的化合物半导体的制备方法，其中，所述混合物还含有选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt及其氧化物中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的化合物半导体的制备方法，其中，所述混合物还含有选自Si、Ga、Ge、Sn及其氧化物中的至少一种。

10.根据权利要求7所述的化合物半导体的制备方法，其中，所述热处理步骤在400℃至800℃下进行。

11.根据权利要求7所述的化合物半导体的制备方法，其中，所述热处理步骤包括至少两个热处理阶段。