[发明专利]碳纳米管复合电极及其制造方法有效
申请号: | 201280022506.1 | 申请日: | 2012-05-10 |
公开(公告)号: | CN103518238B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 富永昌人;坂本伸悟;深道佑一;岩冈彩子;桥口昭贵;户上纯;渡边範明 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人熊本大学 |
主分类号: | H01B1/18 | 分类号: | H01B1/18;H01L51/44;H01M4/583;H01M4/96 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人: | 王勇,王博 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 复合 电极 及其 制造 方法 | ||
1.一种碳纳米管复合电极,其在电极基材的表面上,具有包含多孔氧化物和碳纳米管的表面层,其特征在于,
上述碳纳米管从上述多孔氧化物生成,并且在该碳纳米管之中,至少一部分碳纳米管与电极基材进行电连接。
2.如权利要求1所述的碳纳米管复合电极,
上述多孔氧化物是从由沸石、活性氧化铝和中位多孔二氧化硅构成的组中所选出的至少1种以上。
3.如权利要求2所述的碳纳米管复合电极,
上述多孔氧化物是沸石。
4.如权利要求1至3的任意一项中所述的碳纳米管复合电极,
上述电极基材是从由金(Au)构成的电极基材或镀过金(Au)的电极基材。
5.如权利要求1至4的任意一项中所述的碳纳米管复合电极,
从上述多孔氧化物所生成的碳纳米管之中,一部分碳纳米管部分地被掩埋于上述电极基材的表面内。
6.如权利要求1至5的任意一项中所述的碳纳米管复合电极,
上述碳纳米管包含从上述多孔氧化物的细孔所生成的碳纳米管。
7.如权利要求1至6的任意一项中所述的碳纳米管复合电极,
上述碳纳米管是以载持在多孔氧化物上的金属微粒作为催化剂所生成的碳纳米管。
8.如权利要求7所述的碳纳米管复合电极,
上述金属微粒的载持量相对于多孔氧化物100重量份,为0.1重量份以上且10重量份以下。
9.如权利要求1至8的任意一项中所述的碳纳米管复合电极,
上述碳纳米管的总数的70%以上是单层碳纳米管。
10.如权利要求1至9的任意一项中所述的碳纳米管复合电极,
上述碳纳米管是非氧化型的碳纳米管。
11.如权利要求1至10的任意一项中所述的碳纳米管复合电极,
在上述碳纳米管的壁面上固着有金属和/或半导体。
12.如权利要求11所述的碳纳米管复合电极,
上述金属和/或半导体是平均粒径100nm以下的微粒。
13.如权利要求12所述的碳纳米管复合电极,
上述微粒的总数的80%以上位于粒径0.5nm以上且5nm以下的范围。
14.如权利要求1至13的任意一项中所述的碳纳米管复合电极,
上述碳纳米管的壁面由表面修饰物质覆盖。
15.如权利要求14所述的碳纳米管复合电极,
上述表面修饰物质是界面活化剂。
16.如权利要求1至15的任意一项中所述的碳纳米管复合电极,
至少一部分碳纳米管的前端为开放端部。
17.如权利要求16所述的碳纳米管复合电极,
用电化学方法成为开放端部。
18.如权利要求16或17所述的碳纳米管复合电极,
上述形成了开放端部的碳纳米管内包有内包修饰物质。
19.如权利要求18所述的碳纳米管复合电极,
上述内包修饰物质是类胡萝卜素。
20.一种电化学传感器,其特征在于,
具有权利要求1至19的任意一项中所述的碳纳米管复合电极。
21.一种发电器件,其特征在于,
具有权利要求1至19的任意一项中所述的碳纳米管复合电极。
22.如权利要求21所述的发电器件,
其是色素增感型太阳能电池、生物燃料电池和热电发电器件的任意一种。
23.一种蓄电器件,其特征在于,
具有权利要求1至19的任意一项中所述的碳纳米管复合电极。
24.一种碳纳米管多孔氧化物复合体,其特征在于,
从权利要求1至19的任意一项中所述的碳纳米管复合电极中去除电极基材而成。
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