[发明专利]具有多个解耦等离子体源的半导体处理系统

权利要求书

1.一种半导体衬底处理系统，其包括：

衬底支撑件，其被限定来支撑暴露于处理区域的衬底；

第一等离子体室，其被限定来产生第一等离子体，并将所述第一等离子体的反应性成分供应到所述处理区域；以及

第二等离子体室，其被限定来产生第二等离子体，并将所述第二等离子体的反应性成分供应到所述处理区域；

其中，所述第一和第二等离子体室被限定为是独立受控的。

2.根据权利要求1所述的半导体衬底处理系统，其还包括：

第一功率源，其被限定为将第一功率供应到所述第一等离子体室；

第一工艺气体源，其被限定为将第一工艺气体供应到所述第一等离子体室；

第二功率源，其被限定为将第二功率供应到所述第二等离子体室；以及

第二工艺气体源，其被限定为将第二工艺气体供应到所述第二等离子体室。

3.根据权利要求2所述的半导体衬底处理系统，其中，或所述第一和第二功率源是能独立控制的，或所述第一和第二工艺气体源是能独立控制的，或所述第一和第二功率源以及所述第一和第二工艺气体源都是能独立控制的。

4.根据权利要求2所述的半导体衬底处理系统，其中，所述第一功率是直流功率、射频功率、或直流功率和射频功率的组合，且其中，所述第二功率是直流功率、射频功率、或直流功率和射频功率的组合。

5.根据权利要求1所述的半导体衬底处理系统，其中，所述第一和第二等离子体室被限定为以同步方式或以脉冲方式操作，其中，所述脉冲方式包括所述第一等离子体室或所述第二等离子体室在给定的时间并以交变序列操作。

6.根据权利要求1所述的半导体衬底处理系统，其中，所述衬底支撑件被限定为沿基本上垂直于所述衬底支撑件的上表面的方向是能移动的，所述衬底将被支撑在所述衬底支撑件上。

7.根据权利要求1所述的半导体衬底处理系统，其中，所述第一和第二等离子体室中的一者或两者被限定为具有能通电的等离子体出口区域，该能通电的等离子体出口区域被限定为提供补充电子的产生以增强离子引出。

8.根据权利要求2所述的半导体衬底处理系统，其中，所述衬底支撑件包括被限定为施加跨越在所述衬底支撑件与所述第一和第二等离子体室之间的所述处理区域的偏置电压的电极。

9.根据权利要求1所述的半导体衬底处理系统，其还包括：

挡板构件，其被设置在所述第一和第二等离子体室之间以从所述第一和第二等离子体室朝向所述衬底支撑件延伸，其中，所述挡板构件被限定为减少所述第一和第二等离子体室之间的流体连通。

10.根据权利要求1所述的半导体衬底处理系统，其还包括：

排放通道，其形成在所述第一和第二等离子体室之间，以沿基本上垂直于所述衬底支撑件的上表面的方向延伸远离所述处理区域，所述衬底将被支撑在所述衬底支撑件上。

11.根据权利要求10所述的半导体衬底处理系统，其还包括：

挡板构件，其被设置在所述第一和第二等离子体室之间的所述排放通道内以便从所述第一和第二等离子体室朝向所述衬底支撑件延伸，其中，所述挡板构件被限定为减少所述第一和第二等离子体室之间的流体连通，且其中，将所述挡板构件设置成尺寸小于所述排放通道，以便使排放物流过围绕所述挡板构件的所述排放通道。

12.一种半导体衬底处理系统，其包括：

具有顶部构件、底部构件和在所述顶部构件和所述底部构件之间延伸的侧壁的室，其中，所述室包绕处理区域；

衬底支撑件，其被设置在所述室内并被限定为支撑暴露于所述处理区域的衬底；

设置在所述室内所述衬底支撑件上方的顶板组件，所述顶板组件具有暴露于所述处理区域并与所述衬底支撑件的所述上表面相对的下表面，所述顶板组件包括被连接以供应第一等离子体的反应性成分到所述处理区域的第一多个等离子体端口，所述顶板组件包括被连接以供应第二等离子体的反应性成分到所述处理区域的第二多个等离子体端口。

13.根据权利要求12所述的半导体衬底处理系统，其中，所述衬底支撑件被限定为沿基本上垂直于所述衬底支撑件的上表面的方向是能移动的，所述衬底将被支撑在所述衬底支撑件上。