[发明专利]光放大装置无效
申请号: | 201280022830.3 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN103534885A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 长谷川英明;舟桥政树;清田和明;阿久津刚史;横内则之;奈良一孝 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
主分类号: | H01S5/50 | 分类号: | H01S5/50;G02B6/122;G02F1/01 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大 装置 | ||
1.一种光放大装置,具备:
输入输出部,其进行入射光的输入和出射光的输出;
偏振光分离部,其使从上述输入输出部输入的上述入射光的偏振光分量分支,来输出具有第一偏振光的第一偏振模光以及具有与上述第一偏振光不同的第二偏振光的第二偏振模光;
偏振光变换部,其被输入上述第一偏振模光,将上述第一偏振光变换为上述第二偏振光,来输出第一偏振光变换光;以及
光放大部,其将输入到波导的一个端部的上述第一偏振光变换光进行放大并从另一个端部输出,将输入到上述另一个端部的上述第二偏振模光进行放大并从上述一个端部输出,
其中,输入到上述光放大部的光的每单位强度的增益的变化的绝对值是0.16dB/dBm以下。
2.根据权利要求1所述的光放大装置,其特征在于,
上述光放大部具备:
第一半导体光放大器;
第一波导,其使上述光放大部的上述一个端部与上述第一半导体光放大器之间相连接;
第二半导体光放大器,其与上述第一半导体光放大器串联连接;以及
第二波导,其使上述光放大器的上述另一个端部与上述第二半导体光放大器之间相连接,
其中,上述第一波导和上述第二波导的光路长度彼此相等。
3.根据权利要求2所述的光放大装置,其特征在于,
上述偏振光分离部具备马赫-曾德干涉仪电路,该马赫-曾德干涉仪电路由石英系平面光波电路形成,具有嵌入台面构造的波导,
两个上述半导体放大器之间通过U形转弯部光波导相连接,其中,该U形转弯部光波导具有高台面构造的波导。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的光放大装置,其特征在于,
上述光放大部具备:
活性层,其传播上述第一偏振光变换光和上述第二偏振模光;以及
电极,其向上述活性层注入载流子,
其中,当设封入系数为Γ%且上述电极的长度为Lμm时,Γ×L<1500%μm,该封入系数是被封入到上述活性层中的光与上述光放大部中的光之比。
5.根据权利要求1~3中的任一项所述的光放大装置,其特征在于,
上述光放大部具备:
活性层,其传播上述第一偏振光变换光和上述第二偏振模光;以及
一对光反射部,其对光进行反射,
其中,光被上述一对光反射部反射而在上述活性层共振。
6.根据权利要求5所述的光放大装置,其特征在于,
上述一对光反射部夹着上述活性层形成在两侧,向与上述第一偏振光变换光和上述第二偏振模光在上述活性层中的传播方向垂直的方向反射光。
7.根据权利要求5所述的光放大装置,其特征在于,
上述一对光反射部与上述活性层相接地形成,向与上述第一偏振光变换光和上述第二偏振模光在上述活性层中的传播方向平行的方向反射光。
8.根据权利要求1~7中的任一项所述的光放大装置,其特征在于,
上述第一偏振光是横磁偏振光,
上述第二偏振光是横电偏振光。
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